[发明专利]一种大动态高精度程控衰减模组在审

专利信息
申请号: 202110925045.X 申请日: 2021-08-12
公开(公告)号: CN113472316A 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 杨伟;胡罗林;张华彬;陈曦;黄远波;黄俊;谢兵 申请(专利权)人: 成都菲斯洛克电子技术有限公司
主分类号: H03H11/24 分类号: H03H11/24
代理公司: 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 代理人: 贺理兴
地址: 610041 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 动态 高精度 程控 衰减 模组
【权利要求书】:

1.一种大动态高精度程控衰减模组,其特征在于,所述模组包括:PCB板和衰减电路;

所述衰减电路包括:第一级衰减器、第二级衰减器、第三级衰减器和控制电路,所述第一衰减器的第一信号输入端接入待衰减信号,所述第一衰减器的输出端与所述第二衰减器的第二信号输入端连接,所述第二衰减器的输出端与所述第三衰减器的第三信号输入端连接,所述第三衰减器的输出端确定为衰减信号输出端,所述第一级衰减器、所述第二级衰减器和所述第三级衰减器分别与所述控制电路连接;

所述PCB板具有相对的第一面和第二面,在所述第一面上分别安装第一金属条和第二金属条,形成了第一腔室、第二腔室和第三腔室,所述第一级衰减器安装在所述第一腔室,所述第二级衰减器安装在所述第二腔室,所述第三级衰减器安装在所述第三腔室;在所述第二面上安装所述控制电路。

2.根据权利要求1所述的大动态高精度程控衰减模组,其特征在于,所述第一级衰减器为第一数控衰减器;所述第二级衰减器为第二数控衰减器;所述第三级衰减器为电调衰减器。

3.根据权利要求1所述的大动态高精度程控衰减模组,其特征在于,所述第一级衰减器的第一端与所述控制电路的数据输出端连接,所述第一级衰减器的第二端与外接电源连接,所述第一级衰减器的输出端与所述第二衰减器的第二信号输入端连接,其中,所述第一级衰减器的第一端具有多个第一端口,所述控制电路的数据输出端包括多个第一数据输出端口,每个所述第一端口分别与所述第一数据输出端口一一对应且电气连接。

4.根据权利要求1所述的大动态高精度程控衰减模组,其特征在于,所述第二级衰减器的第一端与所述控制电路的数据输出端连接,所述第二级衰减器的第二端与外接电源连接,所述第二衰减器的输出端与所述第三级衰减器的第三信号输入端连接,其中,所述第二级衰减器的第一端具有多个第二端口,所述控制电路的数据输出端还包括第二数据输出端口,每个所述第二端口均与所述第二数据输出端口电气连接。

5.根据权利要求1所述的大动态高精度程控衰减模组,其特征在于,所述第三衰减器的第一端通过DAC转换电路与所述控制电路的接口端连接;

所述DAC转换电路包括:数模转换器,所述数模转换器的第一端与所述控制电路的时钟信号端连接,所述数模转换器的第二端与所述控制电路的同步选择端连接,所述数模转换器的第三端与所述控制电路的接口端连接,所述数模转换器的第四端与第一电阻的一端连接,所述第一电阻的另一端与所述第三衰减器的第一端连接;

所述第三级衰减器的第二端和所述第三级衰减器的第三端均通过所述第一二极管与带宽放大电路的输出端连接,所述第三级衰减器的第二端与所述第一二极管的正极连接,所述第三级衰减器的第三端与所述第一二极管的负极连接,所述第三级衰减器的输出端为衰减信号输出端。

6.根据权利要求5所述的大动态高精度程控衰减模组,其特征在于,所述模组还包括:反向稳压电路,所述反向稳压电路包括:反向稳压器,所述反向稳压器的第一端和所述反向稳压器的第二端连接且均通过第一电感与外接电源连接,所述反向稳压器的第二端通过第二电感与所述反向稳压器的第三端连接,所述反向稳压的第三端与第一电容的一端连接,所述第一电容的另一端与第二二极管的正极及第三电感的一端连接,所述第三电感的另一端分别与第二电阻、第二电容和第三电容的一端连接,所述反向稳压器的第四端与所述第二二极管的负极连接且接地;所述反向稳压器的第五端与所述第二电阻和所述第二电容的另一端连接,所述第二电阻和所述第二电容并联连接,所述第二电阻和所述第二电容的另一端均与第三电阻的一端连接,所述第三电阻的另一端与所述第三电容的另一端连接且接地,将与所述第三电感连接的所述第三电容的一端确定为所述反向稳压电路的反向输出端。

7.根据权利要求6所述的大动态高精度程控衰减模组,其特征在于,所述模组还包括:运算放大电路,所述运算放大电路包括运算放大器,所述运算放大器的反向输入端与所述数模转换器的第四端连接,所述运算放大器的第一端与所述反向稳压电路的反向输出端连接,所述运算放大器的第二端与所述第一电阻的另一端连接。

8.根据权利要求1所述的大动态高精度程控衰减模组,其特征在于,所述模组还包括:存储单元,所述存储单元与所述控制电路连接,所述存储单元为RAM、ROM和FLASH存储中的至少一种。

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