[发明专利]一种高性能高电阻率复合磁体的制备方法

权利要求书

1.一种高性能高电阻率复合磁体的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）采用熔体快淬法制备名义成分为Mn_xBi_100-x（x=40，46，52，58）的快淬带合金，铜辊转速为20~50 m/s；

（2）将步骤（1）获得的MnBi快淬带与粒径为10~20 μm的软磁α-Fe粉按一定的质量比例混合后，进行低温液氮保护下高能球磨1~6 h，获得混合纳米晶磁粉；

（3）将无机绝缘纳米级材料、纳米级氟化物和步骤（2）获得的混合纳米晶磁粉按一定的质量比例混合，再加入丙酮溶液，混合制成粘度为100~300 mmpa.s的糊状液体备用；所述的无机绝缘纳米级材料和纳米级氟化物的粒径为5~35 nm；

（4）将圆柱尺寸为10*10 mm的钐钴磁体上下表面进行酸洗抛光处理，以去除钐钴磁体上下表面的氧化膜，随后对磁体进行预加热处理；所述的酸洗抛光处理为先将磁体浸泡于浓度为10~30 %下的硝酸中进行脱脂5~20 s，再将磁体在浓度为0.1~1 %的磷酸抛光溶液下抛光5~40 s，最后将磁体在无水乙醇溶液中超声清洗1~10 min；

（5）将步骤（3）获得的糊状液体均匀涂敷在步骤（4）获得的预加热状态下的钐钴磁体的上下表面，然后进行强磁场下的激光熔覆热处理，获得具有高磁性能和高电阻率的复合磁体。

2.根据权利要求1 所述的一种高性能高电阻率复合磁体的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述的MnBi快淬带与软磁α-Fe粉的质量的比例为5~50:1。

3.根据权利要求1 所述的一种高性能高电阻率复合磁体的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述的混合纳米晶磁粉、无机绝缘纳米级材料和纳米级氟化物的质量比为1：0.01~0.08：0.05~0.1；所述的无机绝缘纳米级材料为AlC、SiC、ZrN、ZrC中的一种或几种；所述的纳米级氟化物为CaF₂或NdF₃中的一种。

4.根据权利要求1 所述的一种高性能高电阻率复合磁体的制备方法，其特征在于：步骤（4）中所述的预加热处理为温度40~100 ℃，时间为0.5~1 h。

5.根据权利要求1 所述的一种高性能高电阻率复合磁体的制备方法，其特征在于：步骤（5）中所述的糊状液体的涂敷厚度为0.1~1 mm，强磁场强度为3~5 T，激光熔覆热处理的脉冲持续时间为10~30 min，脉冲功率为800~2000 W，光斑直接为1~2 mm。