[发明专利]一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线在审
申请号: | 202110921897.1 | 申请日: | 2021-08-11 |
公开(公告)号: | CN113809530A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 席晓莉;杜忠红;原艳宁;秦沛瑜 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q21/00 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 刘娜 |
地址: | 710048 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 消解 隔离 mimo 天线 | ||
1.一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线,其特征在于,包括介质基板(1),所述介质基板(1)的顶面沿纵向中心线呈对称设置有矩形的第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3),沿所述第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3)的纵向一端分别固定有第一馈电微带线(4)和第二馈电微带线(5),所述第一馈电微带线(4)和第二馈电微带线(5)相靠近的侧边分别设置有第一倒L型寄生微带线枝节(6)和第二倒L型寄生微带线枝节(7),所述第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3)之间的间隙处设置有长方体型解耦介质墙(9),所述长方体型解耦介质墙(9)沿纵向设置,所述长方体型解耦介质墙(9)的两个侧面上均设置有条形金属带(10)。
2.根据权利要求1所述的一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线,其特征在于,所述介质基板(1)的背面设置有金属层(8);所述第一倒L型寄生微带线枝节(6)和第二倒L型寄生微带线枝节(7)呈对称设置。
3.根据权利要求1所述的一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线,其特征在于,所述长方体型解耦介质墙(9)的底部通过两个插头(11)固定在第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3)之间的间隙中;两个所述插头(11)的长度为2mm+0.1mm,宽度为1mm+0.01mm,高度为1mm+0.1mm。
4.根据权利要求1所述的一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线,其特征在于,所述介质基板(1)的长度为32.0mm±0.1mm,宽度为39.0mm±0.1mm,厚度为1mm±0.001mm。
5.根据权利要求1所述的一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线,其特征在于,所述第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3)的长度均为12.55mm±0.1mm,宽度均为16.0mm±0.1mm;所述第一馈电微带线(4)和第二馈电微带线(5)的长度均为15.0mm±0.1mm,宽度均为1.9mm±0.01mm。
6.根据权利要求5所述的一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线,其特征在于,所述第一L型寄生微带线枝节(6)和第二L型寄生微带线枝节(7)的总长度均为9.2mm±0.01mm,宽度均为0.6mm+0.01mm;所述第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3)与第一L型寄生微带线枝节(6)和第二L型寄生微带线枝节(7)之间的距离均为4.25mm±0.1mm。
7.根据权利要求1所述的一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线,其特征在于,所述长方体型解耦介质墙(9)的长度为32mm±0.1mm,宽度为1.0mm,高度为1.3mm±0.1mm,所述条形金属带(10)的长度均为22.0mm±0.1mm,宽度均为0.4mm+0.01mm;所述条形金属带(10)底端距离长方体型解耦介质墙(9)底面的距离均为0.8mm+0.01mm。
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