[发明专利]一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线在审

专利信息
申请号: 202110921897.1 申请日: 2021-08-11
公开(公告)号: CN113809530A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 席晓莉;杜忠红;原艳宁;秦沛瑜 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q21/00
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 刘娜
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 消解 隔离 mimo 天线
【权利要求书】:

1.一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线,其特征在于,包括介质基板(1),所述介质基板(1)的顶面沿纵向中心线呈对称设置有矩形的第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3),沿所述第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3)的纵向一端分别固定有第一馈电微带线(4)和第二馈电微带线(5),所述第一馈电微带线(4)和第二馈电微带线(5)相靠近的侧边分别设置有第一倒L型寄生微带线枝节(6)和第二倒L型寄生微带线枝节(7),所述第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3)之间的间隙处设置有长方体型解耦介质墙(9),所述长方体型解耦介质墙(9)沿纵向设置,所述长方体型解耦介质墙(9)的两个侧面上均设置有条形金属带(10)。

2.根据权利要求1所述的一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线,其特征在于,所述介质基板(1)的背面设置有金属层(8);所述第一倒L型寄生微带线枝节(6)和第二倒L型寄生微带线枝节(7)呈对称设置。

3.根据权利要求1所述的一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线,其特征在于,所述长方体型解耦介质墙(9)的底部通过两个插头(11)固定在第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3)之间的间隙中;两个所述插头(11)的长度为2mm+0.1mm,宽度为1mm+0.01mm,高度为1mm+0.1mm。

4.根据权利要求1所述的一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线,其特征在于,所述介质基板(1)的长度为32.0mm±0.1mm,宽度为39.0mm±0.1mm,厚度为1mm±0.001mm。

5.根据权利要求1所述的一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线,其特征在于,所述第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3)的长度均为12.55mm±0.1mm,宽度均为16.0mm±0.1mm;所述第一馈电微带线(4)和第二馈电微带线(5)的长度均为15.0mm±0.1mm,宽度均为1.9mm±0.01mm。

6.根据权利要求5所述的一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线,其特征在于,所述第一L型寄生微带线枝节(6)和第二L型寄生微带线枝节(7)的总长度均为9.2mm±0.01mm,宽度均为0.6mm+0.01mm;所述第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3)与第一L型寄生微带线枝节(6)和第二L型寄生微带线枝节(7)之间的距离均为4.25mm±0.1mm。

7.根据权利要求1所述的一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线,其特征在于,所述长方体型解耦介质墙(9)的长度为32mm±0.1mm,宽度为1.0mm,高度为1.3mm±0.1mm,所述条形金属带(10)的长度均为22.0mm±0.1mm,宽度均为0.4mm+0.01mm;所述条形金属带(10)底端距离长方体型解耦介质墙(9)底面的距离均为0.8mm+0.01mm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学,未经西安理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110921897.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top