[发明专利]晶圆保持件及研磨机

说明书

本发明公开了一种晶圆保持件及研磨机，其中，晶圆保持件包括受压件和定位件，受压件具有相对的第一表面和第二表面，受压件的第一表面用于在研磨晶圆时与研磨头连接；定位件设于受压件的第二表面上并形成有用于固定晶圆的固定位，定位件的表面用于在研磨晶圆时与研磨垫接触；其中，定位件上设有分压部，以用于在研磨晶圆时减小定位件与研磨垫之间的相互作用力。本发明改进了晶圆保持件的结构，减少了晶圆保持件与研磨垫的相互作用力，从而避免了由于研磨压力增加而导致晶圆边缘的研磨速率变高的问题，提高了研磨机研磨晶圆的精度。

技术领域

本发明涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种晶圆保持件及研磨机。

背景技术

随着5G的新起与逐步应用，它所具有的超高速率，超低延时，超高密度等优点，使物联网、人工智能、无人驾驶等新兴技术迅猛发展。这就要求生产5G技术的芯片具有高效率，低能耗等特点。随着半导体芯片制造技术的发展，200mm及以上晶圆(Wafer)的化学机械平坦化工艺(Chemical Mechanical Planarization,简称CMP)在芯片生产中的作用和要求也就越来越高。芯片器件越来越小，线宽越来越窄，对片内(Within Wafer，简称WIW)表面形貌、不均匀度等参数的控制精度要求越来越高。

目前，研磨机在研磨过程中，晶圆边缘的研磨速率会明显比中间区域要高(如图1和图2所示)，造成晶圆边缘和晶圆中心会有明显的高度差，整体均匀度较低，使得研磨后的晶圆品质不能满足实际需求。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种晶圆保持件及研磨机，旨在提高晶圆研磨的均匀度，以提高生产制造的良品率。

为实现上述目的，本发明提出一种晶圆保持件，用于套住晶圆，所述晶圆保持件包括：

受压件，具有相对的第一表面和第二表面，所述受压件的第一表面用于在研磨晶圆时与研磨头连接；和

定位件，设于所述受压件的第二表面上并形成有用于固定晶圆的固定位，所述定位件的表面用于在研磨晶圆时与研磨垫接触；

其中，所述定位件上设有分压部，以用于在研磨晶圆时减小所述定位件与研磨垫之间的相互作用力。

可选地，所述分压部为开设于所述定位件表面上的沟槽。

可选地，所述沟槽的数量为多个，多个所述沟槽间隔设置于所述定位件的表面。

可选地，所述沟槽的形状为梯形、条形、矩形、三角形或多边形。

可选地，所述沟槽的宽度大于0.01mm；和/或，所述沟槽的深度大于0.1mm。

可选地，所述定位件上设有多个间隔设置的导流槽，以用于在研磨过程中将研磨液和水引流至所述晶圆，和将研磨废弃物引导排出。

可选地，相邻两所述导流槽之间设有至少一个所述沟槽。

可选地，多个所述导流槽周向间隔均匀地分布于所述定位件上，且多个所述沟槽周向间隔均匀地分布于所述定位件上。

可选地，所述定位件呈圆环状设置；所述定位件的材质为PPS或PP。

可选地，所述定位件的内径为200mm或300mm。

可选地，所述受压件呈圆环状设置；所述受压件的材质为不锈钢。

可选地，所述定位件粘接固定于所述受压件上。

为了实现上述目的，本发明还提出一种研磨机，包括如上所述的晶圆保持件，所述晶圆保持件包括：

受压件，具有相对的第一表面和第二表面，所述受压件的第一表面用于在研磨晶圆时与研磨头连接；和