[发明专利]标准单元建立方法

说明书

一种标准单元建立方法，包含以下步骤：设定第一植入物分离案例；依据该第一植入物分离案例取得复数个特征参数；套用该些特征参数至装置延迟比对模式以取得速度参数；若该速度参数优于先前速度参数，优化通道参数；以及若该通道参数优化成功，建立标准单元。本实施提供了一种建立金属氧化物半导体场效晶体管数据库的简便方法。

技术领域

本揭示中所述实施例内容是有关于一种标准单元建立方法，特别关于一种用以优化电路性能的标准单元建立方法。

背景技术

目前出于时间速度(传播延迟)的考虑，在电路模拟过程中，需要基于当前制成技术检查装置性能。对于每一个新的制成世代建立，为了寻找性能最佳的装置进行设计应用，需要很好地评估装置性能，包括装置间距(宽度/长度/空间)和所有寄生元件(电容/二极管/电阻)。

发明内容

本揭示的一些实施方式是关于一种标准单元建立方法，包含以下步骤：设定第一植入物分离案例；依据该第一植入物分离案例取得复数个特征参数；套用该些特征参数至装置延迟比对模式以取得速度参数；若该速度参数优于先前速度参数，优化通道参数；以及若该通道参数优化成功，建立标准单元。

在部分实施例中，还包含：若该速度参数不优于该先前速度参数，设定第二植入物分离案例；依据该第二植入物分离案例取得该些特征参数；以及套用该些特征参数至该装置延迟比对模式以取得该速度参数。

在部分实施例中，还包含：在设定该第一植入物分离案例后，收集至少一单元数据。

在部分实施例中，其中依据该第一植入物分离案例取得该些特征参数还包含：在直流模式之下进行操作以取得饱和电流值。

在部分实施例中，其中依据该第一植入物分离案例取得该些特征参数还包含：在交流模式下进行操作以取得寄生电容值。

在部分实施例中，其中该些特征参数包含饱和电流值以及寄生电容值。

在部分实施例中，其中该速度参数由CV/I度量所取得。

在部分实施例中，其中该通道参数包含空乏区宽度比。

在部分实施例中，其中该第一植入物分离案例包含井分离参数，S/D分离参数，LDD分离参数，以及袋状分离参数中的至少一者。

在部分实施例中，还包含：若该通道参数没有优化成功，设定第二植入物分离案例；依据该第二植入物分离案例取得该些特征参数；以及套用该些特征参数至该装置延迟比对模式以取得该速度参数。

综上所述，本发明的实施方式提供一种标准单元的建立方法，以便对包括装置间距(宽/长/间距)和所有寄生元件(电容/二极管/电阻)在内的装置性能进行很好的评估。在本发明的实施方式中，包含不同的技术应用并且用于世代进化的CV/I套用。无论基于硅分离还是计算器辅助设计(TCAD)分离，都提供了一种建立金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)数据库的简便方法，并通过传播延迟优化电路性能。

附图说明

为让本揭示的上述和其他目的、特征、优点与实施例能够更明显易懂，所附图的说明如下：

图1为根据本案的一些实施例所绘示的一种标准单元建立方法的流程图。

具体实施方式

在本文中所使用的用词“耦接”也可指“电性耦接”，且用词“连接”也可指“电性连接”。“耦接”及“连接”也可指二个或多个元件相互配合或相互互动。

请参阅图1。图1为根据本案的一些实施例所绘示的一种标准单元建立方法100的流程图。本案的实施方式不以此为限制。

需要说明的是，上述标准单元建立方法100适用于具有处理器和存储器结构的系统或装置。