[发明专利]量子点、其制造方法和包括其的电致发光设备与电子设备

说明书

公开了量子点、其制造方法和包括其的电致发光设备与电子设备，所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳的组成不同于所述第一半导体纳米晶体的组成。所述量子点不包括镉，所述半导体纳米晶体壳包括锌硫属化物，所述锌硫属化物包括硒、碲、硫、或其组合，并且所述量子点进一步碱性碱土金属。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年8月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0098730的优先权和权益、以及由其产生的所有权益，将其内容全部通过引用引入本文中。

技术领域

公开了量子点和包括所述量子点的电子设备(器件)。

背景技术

与块状(本体)材料不同，半导体纳米颗粒的物理特性(例如，带隙能量)可通过改变所述纳米颗粒的尺寸而控制。例如，半导体纳米晶体颗粒(也称作量子点)为纳米尺寸的结晶材料。因为半导体纳米晶体颗粒具有相对小的尺寸，所以所述纳米晶体颗粒具有大的每单体体积的表面积，且由此，所述颗粒呈现出量子限制效应并且将具有与相同化学组成的块体材料不同的性质。量子点可吸收来自激发源例如光或施加的电流的能量，并且在弛豫至基态时，量子点发射与量子点的带隙能量对应的光能。在用于制造量子点的湿化学方法中，有机化合物例如配体/配位溶剂可配位在纳米晶体的表面上，例如结合至纳米晶体的表面，以控制晶体生长。

发明内容

实施方式提供不含镉的半导体纳米晶体颗粒，其能够以改善的效率发射期望波长的光(例如，蓝色光)。

实施方式提供制造所述不含镉的半导体纳米晶体颗粒的方法。

实施方式提供包括前述不含镉的半导体纳米晶体颗粒的电子设备例如显示设备。

在实施方式中，量子点(或多个量子点)包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳的组成不同于所述第一半导体纳米晶体的组成，其中所述量子点不包括镉，其中所述半导体纳米晶体壳包括锌硫属化物，所述锌硫属化物包括硒、碲、硫、或其组合，并且所述量子点进一步包括碱土金属。

所述量子点或所述第一半导体纳米晶体可不包括磷化铟。

所述量子点或所述第一半导体纳米晶体可不包括III-V族化合物。

所述第一半导体纳米晶体可包括锌、碲、和硒。

在所述量子点中，碲相对于硒的摩尔比可大于0:1且小于或等于约0.1:1。

所述碱土金属可包括钡、锶、镁、钙、或其组合。

所述碱土金属可存在于所述半导体纳米晶体壳中。

所述半导体纳米晶体壳可包括所述碱土金属。

所述芯可不包括所述碱土金属。

在所述量子点中，按照一摩尔的锌，所述碱土金属的量可大于或等于约0.001摩尔且小于或等于1摩尔。

在所述量子点中，按照一摩尔的锌，所述碱土金属的量可大于或等于约0.003摩尔。

在所述量子点中，按照一摩尔的锌，所述碱土金属的量可大于或等于约0.01摩尔。

所述量子点可包括硫化钡、硫化钙、硫化镁、硒化钙、硒化钡、钡锌硒化物(硒化钡锌)、钙锌硒化物(硒化钙锌)、镁锌硒化物(硒化镁锌)、或其组合。

所述半导体纳米晶体壳可包括在所述芯上(例如，直接在所述芯上)设置的第一壳层和在所述第一壳层上(例如，直接在所述第一壳层上)设置的第二壳层，所述第一壳层可包括第二半导体纳米晶体，并且所述第二壳层可包括不同于所述第二半导体纳米晶体(或具有与所述第二半导体纳米晶体不同的组成)的第三半导体纳米晶体。