[发明专利]挠性摆片位移测试装置及测试方法有效
申请号: | 202110895112.8 | 申请日: | 2021-08-03 |
公开(公告)号: | CN113405474B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 张露;任春华;马昌昌;黎蕾蕾 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | G01B11/02 | 分类号: | G01B11/02;G01P15/093;G01P15/125;G01P21/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
地址: | 400030 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 挠性摆片 位移 测试 装置 方法 | ||
1.一种挠性摆片位移测试装置,用于测试石英加速度计的挠性摆片受温度影响的位移,所述挠性摆片包括摆舌及设置于所述摆舌上的线圈,所述摆舌的部分表面覆盖有镀金膜层形成反射区,其特征在于,所述挠性摆片位移测试装置包括光源、分光板、温度调节器、第一反射镜组及光电探测器,所述光源发出的平行光在所述分光板处反射及透射后分别形成第一检测光及第二检测光,所述第一检测光经所述分光板反射至所述第一反射镜组,经所述第一反射镜组反射后再次经过所述分光板,再经所述分光板透射后被所述光电探测器接收,所述第二检测光经所述分光板透射至所述反射区,经所述反射区反射后再次经过所述分光板,再经所述分光板反射后被所述光电探测器接收,所述温度调节器用于调节所述线圈的温度,根据所述光电探测器接收的光程信息获取所述挠性摆片在设定温度下的第一位移;
所述摆舌上未覆盖镀金薄膜的区域为透射区,所述挠性摆片位移测试装置还包括第二反射镜组,所述光源发出的平行光在所述分光板处反射及透射后分别形成第三检测光及第四检测光,所述第三检测光经所述分光板反射至所述第一反射镜组,经所述第一反射镜组反射后再次经过所述分光板,再经所述分光板透射后被所述光电探测器接收,所述第四检测光经所述分光板透射至所述透射区,经所述透射区透射至所述第二反射镜组,经所述第二反射镜组反射至所述透射区,经所述透射区透射至所述分光板,再经所述分光板反射后被所述光电探测器接收,根据所述光电探测器接收的光程信息获取所述挠性摆片在设定温度下的热膨胀误差,根据所述挠性摆片的第一位移及所述热膨胀误差得到所述挠性摆片的第二位移。
2.如权利要求1所述的挠性摆片位移测试装置,其特征在于,所述挠性摆片位移测试装置还包括会聚镜组,所述第一检测光及所述第二检测光经所述会聚镜组会聚后被所述光电探测器接收。
3.如权利要求1所述的挠性摆片位移测试装置,其特征在于,所述挠性摆片还包括挠性梁及外环,所述线圈固定于所述摆舌上,所述外环环绕设置于所述摆舌外,所述摆舌通过所述挠性梁与所述外环连接,且所述摆舌能够相对所述外环摆动,所述挠性摆片位移测试装置还包括两个相同的固定器,所述固定器包括可移动的固定底座、可调节高度的支撑架及空心圆环,所述支撑架连接所述固定底座及所述空心圆环,所述外环夹设于两个所述固定器的空心圆环之间。
4.一种挠性摆片位移测试方法,其特征在于,利用如权利要求1-3中任一项所述的挠性摆片位移测试装置测试石英加速度计的挠性摆片受温度影响的位移,包括以下步骤:
步骤S1、调整好分光板、第一反射镜组、挠性摆片及光电探测器的位置;
步骤S2、通过温度调节器设定好所述挠性摆片的线圈的温度;
步骤S3、启动所述光源,使所述光源发出的平行光在所述分光板处反射及透射后分别形成第一检测光及第二检测光,所述第一检测光经所述分光板反射至所述第一反射镜组,经所述第一反射镜组反射后再次经过所述分光板,再经所述分光板透射后被所述光电探测器接收,所述第二检测光经所述分光板透射至所述挠性摆片的反射区,经所述反射区反射后再次经过所述分光板,再经所述分光板反射后被所述光电探测器接收,根据所述光电探测器接收的光程信息获取所述挠性摆片在设定温度下的第一位移。
5.如权利要求4所述的挠性摆片位移测试方法,所述挠性摆片位移测试装置还包括第二反射镜组,其特征在于,在执行所述步骤S2之后且执行所述步骤S3之前,所述挠性摆片位移测试方法还包括:
启动所述光源,使所述光源发出的平行光在所述分光板处反射及透射后分别形成第三检测光及第四检测光,所述第三检测光经所述分光板反射至所述第一反射镜组,经所述第一反射镜组反射后再次经过所述分光板,再经所述分光板透射后被所述光电探测器接收,所述第四检测光经所述分光板透射至所述透射区,经所述透射区透射至所述第二反射镜组,经所述第二反射镜组反射至所述透射区,经所述透射区透射至所述分光板,再经所述分光板反射后被所述光电探测器接收,根据所述光电探测器接收的光程信息获取所述挠性摆片在所述设定温度下的热膨胀误差。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学,未经重庆大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110895112.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。