[发明专利]功率控制模块及控制方法、半桥电路

权利要求书

1.功率控制模块，包括功率开关管、SiC二极管，其特征在于，所述功率控制模块还电连接有控制功率开关管占空比的控制单元。

2.根据权利要求1所述的功率控制模块，其特征在于，所述SiC二极管的阳极与所述功率开关管的源极电连接；所述SiC二极管的阴极与所功率开关管的漏极电连接。

3.根据权利要求1所述的功率控制模块，其特征在于，所述控制单元还电连接有检测输入电压极性的检测单元、分别检测所述功率开关管和所述SiC二极管温度的温度传感器。

4.根据权利要求3所述的功率控制模块，其特征在于，所述检测单元与输入端电连接。

5.根据权利要求1所述的功率控制模块，其特征在于，所述功率控制模块还包括温度传感器。

6.一种半桥电路，其特征在于，包括如权利要求1至5中任意一项所述的功率控制模块。

7.一种控制方法，其特征在于，所述控制方法包括以下步骤：

当功率开关管在续流工作状态时，根据功率开关管和SiC二极管的温度差值改变功率开关管的占空比降低功率模块的温度。

8.根据权利要求7所述的控制方法，其特征在于，通过检测单元检测输入电压的极性，判断功率开关管是否工作在续流工作状态。

9.根据权利要求8所述的控制方法，其特征在于，通过温度传感器检测功率开关管的温度T1、SiC二极管的温度T2，判断△T=T1-T2是否大于预设温度T，在△T＞T的状态下，控制单元减小功率开关管的占空比以降低功率模块的温度。

10.根据权利要求9所述的控制方法，其特征在于，当△T≤T时，控制单元增加功率开关管的占空比。