[发明专利]检测系统及检测方法在审
申请号: | 202110873810.8 | 申请日: | 2021-07-30 |
公开(公告)号: | CN113466258A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 陈鲁;张龙;黄有为;张嵩 | 申请(专利权)人: | 深圳中科飞测科技股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95;G01N21/01 |
代理公司: | 深圳市沈合专利代理事务所(特殊普通合伙) 44373 | 代理人: | 吴京隆 |
地址: | 518109 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 系统 方法 | ||
本申请公开了一种检测系统。检测系统包括第一光源、第二光源及至少一个检测通道;第一光源向待检测的样品入射第一光线,第一光线激发样品发出特定波长范围的第一信号光,以及经由样品反射或散射出第二信号光;第二光源向样品入射第二光线,第二光线经由样品反射或散射出第三信号光;检测通道包括探测装置及滤波装置,探测装置接收穿过滤波装置的信号光以形成检测信息,滤波装置可选择地切换至第一状态或第二状态,在第一状态下,滤波装置供第一信号光穿过,在第二状态下,滤波装置供第二信号光或第三信号光穿过。本申请还公开了一种检测方法。通过检测系统可以对样品进行较为全面地检测。
技术领域
本申请涉及工业检测技术领域,特别涉及一种检测系统及检测方法。
背景技术
随着芯片持续往小型化的趋势发展,对用于制备芯片的晶圆的质量要求也越来越高,而对晶圆进行全面的缺陷检测是提高晶圆质量的必要手段。晶圆可能包含的缺陷包括晶圆内部存在的微观结构缺陷(例如堆垛层错缺陷及基面位错缺陷),以及晶圆表面存在的物理缺陷(例如划痕),而当前的检测设备并不能有效地同时检测这两种缺陷。
发明内容
本申请实施方式提供了一种检测系统及检测方法。
本申请实施方式的检测系统包括第一光源、第二光源及至少一个检测通道;所述第一光源向待检测的样品入射第一光线,所述第一光线激发所述样品发出特定波长范围的第一信号光,以及经由所述样品反射或散射出第二信号光;所述第二光源向所述样品入射第二光线,所述第二光线经由所述样品反射或散射出第三信号光;所述检测通道包括探测装置及滤波装置,所述探测装置接收穿过所述滤波装置的信号光以形成检测信息,所述滤波装置可选择地切换至第一状态或第二状态,在所述第一状态下,所述滤波装置供第一信号光穿过,在所述第二状态下,所述滤波装置供第二信号光或第三信号光穿过。
在某些实施方式中,所述第一光线垂直入射至所述样品,所述第二光线倾斜入射至所述样品。
在某些实施方式中,所述检测通道包括第一检测通道及第二检测通道,所述第一检测通道与所述第二检测通道关于所述第一光线和第二光线确定的入射面对称设置。
在某些实施方式中,所述检测通道还包括第三检测通道,所述第三检测通道与所述第一光线之间的夹角,大于所述第一检测通道与所述第一光线之间的夹角。
在某些实施方式中,所述检测通道包括第一检测通道及第二检测通道;
所述第一检测通道包括第一滤波装置,所述第一滤波装置在第一状态下供第一信号光中第一波长范围的光线穿过,在第二状态下供第三信号光穿过;
所述第二检测通道包括第二滤波装置,所述第二滤波装置在第一状态下供第一信号光中第二波长范围的光线穿过,在第二状态下供第二信号光穿过,所述第一波长范围与所述第二波长范围不存在交集。
在某些实施方式中,所述第一波长范围包含范围[420纳米,520纳米];及/或
所述第二波长范围包含范围[372纳米,396纳米]。
在某些实施方式中,所述第一光线为紫外光;及/或,
所述第二光线为可见光。
在某些实施方式中,所述第一光线的波长范围为[305纳米,405纳米],及/或
所述第二光线的波长范围为[482纳米,582纳米]。
在某些实施方式中,所述检测通道包括第一检测通道及第二检测通道;
所述第一检测通道的第一滤波装置切换至第一状态时,所述第二检测通道的第二滤波装置切换至第一状态。
在某些实施方式中,所述检测通道还包括第三检测通道;所述第一滤波装置切换至第二状态,以接收第三信号光时,
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