[发明专利]基于FeS2 有效
| 申请号： | 202110866986.0 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113552199B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 鲁志伟;孙萌萌;李婷;王妍媖;饶含兵;杜鑫 | 申请（专利权）人： | 四川农业大学 |
| 主分类号： | G01N27/327 | 分类号： | G01N27/327 |
| 代理公司： | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 何凡 |
| 地址： | 611130 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 fes base sub | ||
1.一种FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：
(1)将MQDs和FeS2/C分别分散在0.1-0.3wt％的壳聚糖-乙酸溶液中，得MQDs溶液和FeS2/C溶液；所述MQDs为Ti3C2 Mxene量子点；
(2)将1-2μL MQDs溶液滴加到GCE上，在50-70℃温度下干燥，得MQDs/GCE；
(3)将7-8μL FeS2/C溶液滴加到MQDs/GCE上，在50-70℃温度下干燥，得FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极。
2.如权利要求1所述的FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极的制备方法，其特征在于，MQDs材料涂覆在电极表面后，再滴加FeS2/C；MQDs溶液和FeS2/C溶液浓度均为2mg/mL。
3.权利要求1-2任一项所述的FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极的制备方法制得的FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极。
4.权利要求3所述的FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极在制备分子印迹电化学传感器中的应用。
5.一种基于FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极的分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将权利要求3所述的FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极浸入含有双嘧达莫、硫酸奎宁和β-环糊精的0.01-0.02M磷酸盐缓冲液中，通过三电极体系进行CV电聚合，然后浸入甲醇和醋酸按体积比7-9:2混合而成的混合液中，搅拌6-10min除去模板分子，得基于FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极的分子印迹电化学传感器，记为FeS2/C/MQDs/MIP/GCE。
6.如权利要求5所述的基于FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极的分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于，所述双嘧达莫、硫酸奎宁和β-环糊精摩尔比为1:1:3。
7.如权利要求5所述的基于FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极的分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于，所述甲醇和醋酸按体积比8:2混合。
8.如权利要求5所述的基于FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极的分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于，电聚合电位范围为-0.1-0.9V，聚合循环圈数为20圈，扫描速度为90mV/s。
9.权利要求5-8任一项所述的基于FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极的分子印迹电化学传感器的制备方法制得的基于FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极的分子印迹电化学传感器。
10.权利要求9所述的基于FeS2/C/MQDs/GCE修饰电极的分子印迹电化学传感器在双嘧达莫和硫酸奎宁检测中的应用。
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