[发明专利]自适应过冲电压抑制电路、基准电路、芯片及通信终端

权利要求书

1.一种自适应过冲电压抑制电路，其特征在于包括过冲电压抑制单元、电压-电流转换单元，所述过冲电压抑制单元的输入端连接待测基准电路上预设的采样结点，所述过冲电压抑制单元的输出端连接所述电压-电流转换单元的输入端，所述电压-电流转换单元的输出端连接所述待测基准电路上预设的调节结点；

所述电压-电流转换单元包括第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管和第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极连接所述第一电阻的一端，所述第三NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极、栅极和所述第二PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极连接所述调节结点，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极连接电源电压，所述第一电阻的另一端连接公共接地端电压；

在所述待测基准电路启动过程中，所述过冲电压抑制单元根据从所述待测基准电路获取的采样电压，产生瞬态高频感应的电压，经过所述电压-电流转换单元转换为相应的上拉电流，注入到所述待测基准电路中，与所述待测基准电路的下拉启动电流叠加，以减小所述待测基准电路启动瞬间的非线性启动电流。

2.如权利要求1所述的自适应过冲电压抑制电路，其特征在于：

所述过冲电压抑制单元包括电容、第一NMOS管、第二NMOS管，所述电容的一端连接所述采样结点和所述第一NMOS管的栅极，所述电容的另一端连接所述第一NMOS管、所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极连接外部的使能电路，所述第一NMOS管、所述第二NMOS管的源极连接所述公共接地端电压。

3.如权利要求2所述的自适应过冲电压抑制电路，其特征在于：所述第三NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管、所述第二NMOS管的漏极和所述电容的另一端。

4.一种基准电路，其特征在于包括启动模块、基准核心模块和权利要求1～3中任意一项所述的自适应过冲电压抑制电路，所述自适应过冲电压抑制电路的输入端连接所述基准核心模块上预设的采样结点，所述自适应过冲电压抑制电路的输出端连接所述启动模块上预设的调节结点。

5.如权利要求4所述的基准电路，其特征在于：

所述调节结点为所述启动模块向所述基准核心模块输出启动电流的位置。

6.如权利要求4所述的基准电路，其特征在于：

所述采样结点为从所述基准核心模块上采样的采样电压使得第一NMOS管栅极导通的位置。

7.一种集成电路芯片，其特征在于包括权利要求4～6中任意一项所述的基准电路。

8.一种通信终端，其特征在于包括权利要求4～6中任意一项所述的基准电路。