[发明专利]开环放大器电路在审

专利信息
申请号: 202110854075.6 申请日: 2021-07-28
公开(公告)号: CN113595511A 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 左卫松 申请(专利权)人: 松励微电子(上海)有限公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 焦健
地址: 201616 上海市松江*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 开环 放大器 电路
【权利要求书】:

1.一种开环放大器电路,其特征在于:所述的开环放大器电路将传感器或者其他电路的微弱电信号进行放大,其包含有偏置电路、放大电路以及补偿电路;所述偏置电路产生偏置电流提供给放大电路;

所述放大电路包含有输入端口及输出端口,从所述输入端口输入信号经所述放大电路进行放大,由输出端口输出;

所述的补偿电路对所述放大电路的输出进行补偿,防止输出端口的漂移。

2.如权利要求1所述的开环放大器电路,其特征在于:所述的偏置电路为电流源。

3.如权利要求2所述的开环放大器电路,其特征在于:所述电流源包含有第一PMOS、第四PMOS、第五PMOS,以及第三NMOS、第四NMOS、第七NMOS,还包含有第二电阻;

所述第一PMOS与第五PMOS的栅极短接形成第一节点,与放大电路相连;第一PMOS与第五PMOS的源极接电源,第一PMOS的栅极与漏极短接;

所述第四PMOS的源极接电源,第四PMOS的栅极与漏极短接,形成第二节点,与放大电路相连;

所述第四PMOS的漏极与第七NMOS的漏极相连,第七NMOS的源极接地;

所述第四NMOS的栅极与第七NMOS的栅极以及第三NMOS的栅极相连形成第三节点,与放大电路相连;

所述第四NMOS的源极接地,所述第三NMOS的源极通过第二电阻接地;

所述第四NMOS的栅极与漏极短接并接到第五PMOS的漏极;

所述第三NMOS的漏极与第一PMOS的漏极相连。

4.如权利要求3所述的开环放大器电路,其特征在于:所述的偏置电路的输出电流由第二电阻来决定,即流过第三NMOS管的电流I1为:

其中,LN4为第四NMOS的栅长,WN4为第四NMOS的栅宽,β为第四NMOS的增益系数;R2为第二电阻阻值。

流过第三NMOS管的电流与流过第四NMOS管的电流相等。

5.如权利要求1所述的开环放大器电路,其特征在于:所述的放大电路的输入端口及输出端口均为差分信号端口。

6.如权利要求1或3所述的开环放大器电路,其特征在于:所述的放大电路包含第一、第二、第五、第六、第八NMOS,以及第二、第三、第六、第七PMOS;还包括第一电阻及第三电阻;

所述的第二PMOS的栅极与第三PMOS的栅极相连并再连接到偏置电路的第一节点;

所述第二PMOS的源极以及第三PMOS的源极接电源;

所述第六PMOS的栅极与第七PMOS的栅极相连并再连接到偏置电路的第二节点;

所述第五NMOS与第六NMOS的栅极短接,第五NMOS的源极以及第六NMOS的源极接地,第五NMOS的漏极接第六PMOS的漏极,第六NMOS的漏极接第七PMOS的漏极;

所述第一电阻的两端分别与第六NMOS的漏极和栅极连接,所述第三电阻的两端分别与第五NMOS的漏极和栅极连接;所述第五NMOS的漏极以及第六NMOS的漏极形成放大电路的差分输出端口;

所述第一NMOS的漏极与第三PMOS的漏极相连,所述第八NMOS的漏极与第二PMOS的漏极相连;

所述第一NMOS的栅极和第八NMOS的栅极形成放大电路的差分输入端口;

所述第一NMOS的源极与第八NMOS的源极相连并再与第二NMOS的漏极相连;所述第二NMOS的源极接地;

所述第二NMOS的栅极与偏置电路的第三节点相连。

7.如权利要求6所述的开环放大器电路,其特征在于:所述的放大电路的电压增益A与第二电阻、第三电阻以及第三、第四、第八NMOS管的栅极宽长比有关:

I2=kI1

其中,所述I2为流过第二NMOS管的电流,其是第四NMOS管的镜像电流,为第三NMOS的栅极宽长比,为第八NMOS的栅极宽长比,为第四NMOS的栅极宽长比。

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