[发明专利]具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器及其制备方法

权利要求书

1.具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器，包括衬底、位于所述衬底之上的第一镜层、位于所述第一镜层之上的活化层和位于所述活化层之上的第二镜层，所述第二镜层、所述活化层和靠近所述活化层的部分所述第一镜层经过蚀刻之后形成主动区平台，所述主动区平台采用111晶面，其特征在于：对所述主动区平台的形状进行修正，修正后主动区平台平行于所述衬底的横截面的形状为：圆被三条开口背向其圆心的曲线切割后剩余的部分，且所述圆被所述曲线切割后剩余长度最短的三条半径方向与修正前主动区平台氧化后实际形成的氧化孔径的中心到氧化孔径的边缘距离最长的三条路径的方向相对应。

2.如权利要求1所述的具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器，其特征在于：被切割圆的半径为R，曲线切割圆半径的最长长度为Rc-Rs，其中所述Rc为修正前主动区平台氧化后实际形成的氧化孔径的中心到氧化孔径的边缘的最长距离，Rs为修正前主动区平台氧化后实际形成的氧化孔径的中心到氧化孔径的边缘的最短距离，R为修正前主动区平台的圆形横截面的半径。

3.如权利要求1所述的具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述三条曲线在所述圆内不相交。

4.如权利要求1所述的具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述三条曲线为半径为R的圆弧，R为修正前主动区平台的圆形横截面的半径。

5.如权利要求1所述的具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述三条曲线为圆锥曲线、多边形曲线或者其组合。

6.具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于：用于制作如权利要求1-5任一项所述的具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器，包括步骤：

根据晶片的晶面类型，设计光罩，使其可以在晶片表面形成与所述晶面类型相对应的非圆柱形主动区平台的横截面图形；

使用所述光罩进行光刻，在晶片上表面形成非圆柱形主动区平台的横截面图形；

蚀刻，形成非圆柱形主动区平台，所述非圆柱形主动区平台侧壁暴露氧化限制层；

氧化，对非圆柱形主动区平台侧壁进行氧化，形成氧化孔径。

7.如权利要求6所述的具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于：设计光罩之前，针对所述晶片的晶面类型，进行实验，实验中首先设置半径为R的圆柱形主动区平台，经过侧壁氧化后形成半径为r的目标氧化孔径的实验条件，然后采用所述实验条件获得半径为R的圆柱形平台经过侧壁氧化之后，实际形成的氧化孔径的形状以及相关方向、长度数据。

8.如权利要求7所述的具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于：针对同一晶面类型，进行多次实验，每次实验的条件设置相同，取多次实验结果的平均值或者拟合值为最终确定的该晶面类型的最终实验结果。

9.如权利要求8所述的具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于：还包括步骤：晶片外延生长；电极制备；对主动区平台侧壁进行钝化，形成钝化层，以及填充物设置。