[发明专利]一种高调制速率的混合集成半导体激光器

权利要求书

1.一种高调制速率的混合集成半导体激光器，其特征在于：包括激光器外壳(4)、防护机构和安装机构，所述激光器外壳(4)固接在支撑板(5)上，所述激光器外壳(4)内腔底部固接有制冷器(9)；所述防护机构包括压力传感模块(1)、绝缘板(14)和支撑架(18)，所述压力传感模块(1)嵌合在检测板(2)上，所述检测板(2)安装在激光器外壳(4)顶部，所述绝缘板(14)固接在激光器外壳(4)内腔顶部，所述激光器外壳(4)内部安装有支撑架(18)；所述安装机构安装在支撑板(5)底部，所述支撑板(5)顶部固接有辅助块(25)一端，所述辅助块(25)另一端固接在激光器外壳(4)侧壁上，所述激光器外壳(4)上固接有支撑块(401)，所述支撑块(401)位于辅助块(25)上方。

2.根据权利要求1所述的一种高调制速率的混合集成半导体激光器，其特征在于：所述检测板(2)卡合在限位条(201)上，所述限位条(201)固接在激光器外壳(4)侧壁上，所述检测板(2)底端与限位条(201)之间插接有插销，所述插销共四个。

3.根据权利要求1所述的一种高调制速率的混合集成半导体激光器，其特征在于：所述压力传感模块(1)底端贯穿检测板(2)和激光器外壳(4)顶部侧壁后插接在连接块(3)上，所述连接块(3)固接在激光器外壳(4)内腔顶部，所述连接块(3)位于绝缘板(14)两侧，位于左侧的所述连接块(3)底部安装有支撑架(18)，所述支撑架(18)固接在激光器外壳(4)内壁上。

4.根据权利要求1所述的一种高调制速率的混合集成半导体激光器，其特征在于：所述支撑板(5)顶部固接有蜂鸣器(15)，所述蜂鸣器(15)与电源模块(16)之间采用电性连接，所述电源模块(16)固接在激光器外壳(4)内壁上，所述电源模块(16)远离蜂鸣器(15)的一侧固接有缓冲块(1601)。

5.根据权利要求4所述的一种高调制速率的混合集成半导体激光器，其特征在于：所述缓冲块(1601)呈V字型，所述缓冲块(1601)共两个，所述缓冲块(1601)右侧与降温板(17)搭接，所述电源模块(16)顶部搭接有支撑架(18)。

6.根据权利要求1所述的一种高调制速率的混合集成半导体激光器，其特征在于：所述支撑板(5)顶部固接有散热扇(19)，所述散热扇(19)两端均通过风管连接有降温板(17)，所述降温板(17)位于散热板(10)一侧，所述散热板(10)卡合在制冷器(9)两侧，两个所述散热板(10)之间卡合有限位板(20)，所述限位板(20)固接在支撑板(5)顶部。

7.根据权利要求1所述的一种高调制速率的混合集成半导体激光器，其特征在于：所述制冷器(9)顶部搭接有第一激光模块(11)，所述第一激光模块(11)顶部固接有第二激光模块(13)，所述第二激光模块(13)右侧安装有光纤(12)，所述光纤(12)贯穿激光器外壳(4)右侧壁，所述第二激光模块(13)顶部搭接有绝缘板(14)。

8.根据权利要求1所述的一种高调制速率的混合集成半导体激光器，其特征在于：所述安装机构包括安装条(6)、侧板(8)和限位管(22)，所述侧板(8)固接在支撑板(5)底部，所述支撑板(5)两侧均固接有调节杆(7)，所述调节杆(7)上套接有安装条(6)，所述安装条(6)底部开设有安装孔。

9.根据权利要求1所述的一种高调制速率的混合集成半导体激光器，其特征在于：所述支撑板(5)底部固接有吸盘(21)，所述吸盘(21)一侧卡合有安装板(23)，所述安装板(23)的尺寸小于安装条(6)，所述安装板(23)共两个，且所述安装板(23)位于两个侧板(8)之间。

10.根据权利要求1所述的一种高调制速率的混合集成半导体激光器，其特征在于：所述支撑板(5)底部固接有连接管(24)，所述连接管(24)底部卡合在限位管(22)内，所述连接管(24)与限位管(22)之间转动连接，所述连接管(24)位于两个安装板(23)之间。