[发明专利]线性稳压器及软启动方法

说明书

本申请公开一种线性稳压器及软启动方法，能够解决现有技术中的线性稳压器只能选择PMOS管作为运算放大器的输入对管的问题，扩大线性稳压器的器件选择面。线性稳压器包括：输出模块，用于输出线性稳压器的输出电压；运算放大器，连接至输出模块，用于获取采样电压以及参考电压，并对采样电压和参考电压进行误差放大，并输出误差放大信号至输出模块，且采样电压采样自输出电压；电平转换模块，连接至输出模块，用于获取采样电压，以及斜坡电压，并根据采样电压以及斜坡电压输出对应的调整电压至输出模块；电平转换模块工作在线性稳压器的初始启动阶段，初始启动阶段对应至输出电压小于或等于第一阈值的阶段。

技术领域

本申请涉及线性稳压器技术领域，具体涉及一种线性稳压器及软启动方法。

背景技术

近年来，随着半导体技术的发展，电源芯片应用的越来越广泛，低压差线性稳压器作为电源产品中的重要一员也存在着大量需求，往往一个应用方案中需要多个低压差线性稳压器供电。

所述低压差线性稳压器通常使用运算放大器来实现对输出电压的反馈调校。该运算放大器通过输入对管获取参考电压以及输出电压的采样电压，并且输出所述参考电压以及采样电压之间出差值的放大值。该放大值将会给到所述低压差线性稳压器中的功率管的栅极，从而调控所述功率管的漏极输出的输出电压，实现稳压输出。

现有技术中，在所述低压差线性稳压器初始启动阶段，往往会出现较大的电流过冲流入输出端的现象。如果低压差线性稳压器后级芯片和低压差线性稳压器输出端的布线寄生阻抗较大，作为后级芯片电源的低压差线性稳压器输出信号就会产生较大下冲，导致后级芯片工作异常。

并且现有技术中常用PMOS管作为所述运算放大器中的输入对管，制备所述线性稳压器时的器件选择面窄，不利于缩小所述线性稳压器的制备成本。亟需提出一种能在避免初始启动阶段的过冲线性的同时，拓宽线性稳压器的制备过程中的器件选择面的方案。

发明内容

鉴于此，本申请提供一种线性稳压器及软启动方法，以解决现有技术中的线性稳压器只能选择PMOS管作为运算放大器的输入对管的问题，扩大所述线性稳压器的器件选择面。

本申请提供的一种线性稳压器，包括：输出模块，用于输出所述线性稳压器的输出电压；运算放大器，连接至所述输出模块，用于获取采样电压，以及参考电压，并对所述采样电压和参考电压进行误差放大，并输出误差放大信号至所述输出模块，且所述采样电压采样自所述输出电压；电平转换模块，连接至所述输出模块，用于获取所述采样电压，以及斜坡电压，并根据所述采样电压以及所述斜坡电压输出对应的调整电压至所述输出模块；所述电平转换模块工作在所述线性稳压器的初始启动阶段，所述初始启动阶段对应至所述输出电压小于或等于第一阈值的阶段。

可选的，所述运算放大器包括：电流源，用于提供驱动电流；输入对管，连接至所述电流源，用于获取所述参考电压和所述采样电压，并根据所述采样电压和参考电压输出误差放大信号。

可选的，所述电流源包括：栅极相互连接的第一PMOS管和第二PMOS管，且所述第一PMOS管的栅极和漏极相互连接；所述输入对管包括：第一NMOS管和第二NMOS管，其中，所述第一NMOS管的栅极用于获取所述参考电压，漏极连接至所述电流源，源极接地，所述第二NMOS管的栅极用于获取所述采样电压，漏极连接至所述电流源，源极接地。

可选的，还包括二级放大电路，所述二级放大电路连接至所述运算放大器的输出端，对所述误差放大信号进行二级放大。

可选的，所述斜坡电压的初始值为0V，且所述斜坡电压在所述初始启动阶段按固定斜率随时间线性增大。

可选的，所述电平转换模块包括：辅助启动支路，连接至所述输出模块，且所述辅助启动支路用于获取所述斜坡电压以及所述采样电压，并根据所述斜坡电压以及所述采样电压提供所述调整电压；第一偏置电压源，用于给所述辅助启动支路提供偏置电压。