[发明专利]一种基于表面微柱阵列的气膜复合钨铼合金薄膜热电偶

权利要求书

1.一种基于表面微柱阵列的气膜复合钨铼合金薄膜热电偶，其特征在于，包括平面氧化铝陶瓷基底（1），钨铼合金薄膜热电偶（2）设置在平面氧化铝陶瓷基底（1）的表面，钨铼合金薄膜热电偶（2）的尾部分别连接对应的金属引线（4）；钨铼合金薄膜热电偶（2）的表面阵列排布若干微米微柱（5）形成氧化铝微柱阵列（3），微米微柱（5）的高度为5μm±8%，微米微柱（5）的中间填充空气形成气膜孔（8），平面氧化铝陶瓷基底（1）、钨铼合金薄膜热电偶（2）和氧化铝微柱阵列（3）形成三层叠层结构，微米微柱（5）的中部设置有第一圆柱体（6），第一圆柱体（6）的一端与钨铼合金薄膜热电偶（2）连接，另一端覆盖第二圆柱体（7）形成阶梯轴结构。

2.根据权利要求1所述的基于表面微柱阵列的气膜复合钨铼合金薄膜热电偶，其特征在于，第一圆柱体（6）的直径为2μm±10%，高度为4.5μm±10%，第二圆柱体（7）的直径为2.5μm±10%，高度为0.5μm±10%。

3.根据权利要求1所述的基于表面微柱阵列的气膜复合钨铼合金薄膜热电偶，其特征在于，微米微柱（5）的中心间隔为6μm±5%。

4.根据权利要求1所述的基于表面微柱阵列的气膜复合钨铼合金薄膜热电偶，其特征在于，钨铼合金薄膜热电偶（2）包括正极（9）和负极（10），正极（9）和负极（10）的一端连接，连接处的正极（9）设置在负极（10）的上方。

5.根据权利要求4所述的基于表面微柱阵列的气膜复合钨铼合金薄膜热电偶，其特征在于，钨铼合金薄膜热电偶（2）为V字型结构薄膜，正极（9）和负极（10）连接形成的夹角为5°±10%。

6.根据权利要求1所述的基于表面微柱阵列的气膜复合钨铼合金薄膜热电偶，其特征在于，正极（9）采用质量分数97%的钨和质量分数3%的铼制备而成，负极（10）采用质量分数75%的钨和质量分数25%的铼制备而成。

7.根据权利要求1所述的基于表面微柱阵列的气膜复合钨铼合金薄膜热电偶，其特征在于，钨铼合金薄膜热电偶（2）的表面均匀度在8%~10%。