[发明专利]一种W波段合成功率放大器

权利要求书

1.一种W波段合成功率放大器，其特征在于，包括第一驱动放大器、隔离器、第二驱动放大器、功率监测模块、末级合成放大模组和电源模块；所述第一驱动放大器通过所述隔离器与所述第二驱动放大器连接，所述第二驱动放大器通过所述功率监测模块与所述末级合成放大模组连接，所述电源模块与所述第一驱动放大器、所述第二驱动放大器、所述功率监测模块、所述末级合成放大模组连接。

2.如权利要求1所述的W波段合成功率放大器，其特征在于，所述功率监测模块包括耦合器、衰减器和检波器，所述耦合器设置在所述第二驱动放大器、所述末级四路合成放大模组之间，所述耦合器通过所述衰减器与所述检波器连接，所述功率监测模块的输入端为所述耦合器的输入端，所述功率监测模块的输出端为所述耦合器的直通端。

3.如权利要求1所述的W波段合成功率放大器，其特征在于，所述末级合成放大模组包括隔离功分器、若干末级放大器和隔离合成器，所述隔离功分器分别通过各所述末级放大器和所述隔离合成器连接。

4.如权利要求1所述的W波段合成功率放大器，其特征在于，所述第一驱动放大器和所述第二驱动放大器包括电源部和放大部，所述电源部包括电源管理芯片、正压DCDC芯片、第一正压LDO芯片，所述放大部包括放大器芯片；所述电源管理芯片的第17和第18引脚和所述放大器芯片的漏极之间依次串联第一电阻、并联第二电容，所述电源管理芯片的第16引脚和所述放大器芯片的栅极并联第二电容；所述正压DCDC芯片的第1引脚和所述第一正压LDO芯片的第6、7、8引脚之间依次串联第三电容、并联第一二极管、串联第一电感、并联第二电阻、并联第四电容；所述第一正压LDO芯片的第1、2、3引脚和所述电源管理芯片的第5、9引脚之间依次并联第五电容、并联第三电阻、并联第六电容。

5.如权利要求1所述的W波段合成功率放大器，其特征在于，所述末级合成放大模组设置有调制解调电路，所述调制解调电路包括NMOS栅极驱动芯片和NMOS管，所述NMOS栅极驱动芯片的1管脚连接直流电，所述NMOS栅极驱动芯片的3管脚连接外部提供的LVTTL控制电平信号，所述NMOS栅极驱动芯片的4管脚和6管脚之间串联第七电容，所述NMOS栅极驱动芯片的4管脚和所述NMOS管的2管脚之间依次并联第八电容、并联第二电感，所述NMOS栅极驱动芯片的5管脚和所述NMOS管的1管脚之间串联第四电阻。

6.如权利要求1所述的W波段合成功率放大器，其特征在于，所述电源模块的主电路包括负压DCDC芯片、负压LDO芯片、第二正压LDO芯片和第一PMOS管，所述负压DCDC芯片的1、2管脚和双串联肖特基势垒二极管的3管脚之间依次并联第三电感、串联第九电容，所述双串联肖特基势垒二极管的1管脚和所述负压LDO芯片的13、15管脚之间依次并联第五电阻、并联第十电容，所述负压DCDC芯片的9管脚和所述负压LDO芯片的13、15管脚之间依次并联第六电阻、串联第七电阻、并联第十一电容，所述负压DCDC芯片的4、5、7管脚和所述第二正压LDO芯片的1管脚之间依次并联第十二电容、并联第十三电容、串联第四电感、并联第十四电容、并联第十五电容，所述第二正压LDO芯片的2管脚和所述第一PMOS管的2管脚之间依次并联第八电阻、并联第九电阻。

7.如权利要求6所述的W波段合成功率放大器，其特征在于，所述电源模块的前级保护电路包括第二PMOS管和扼流电感，所述第二PMOS管的2管脚和所述扼流电感的1管脚之间依次并联第十六电容、第十七电容，所述第二PMOS管的1管脚和所述扼流电感的4管脚之间依次串联第十电阻、并联第十八电容、第十九电容。

8.如权利要求1所述的W波段合成功率放大器，其特征在于，所述第一驱动放大器、所述隔离器、所述第二驱动放大器、所述功率监测模块、所述末级四路合成放大模组通过矩形波导依次连接。

9.如权利要求1所述的W波段合成功率放大器，其特征在于，所述W波段合成功率放大器还包括用于散热的散热模块，所述散热模块为配置的金属散热片和强力风机。

10.如权利要求1所述的W波段合成功率放大器，其特征在于，所述W波段合成功率放大器的功放芯片焊接采用高导热率烧结银焊接工艺。