[发明专利]一种应用于多种电压的偏置电路结构

权利要求书

1.一种应用于多种电压的偏置电路结构，其特征在于，包括随电源电压变化的第一电流基准模块以及不随电源电压变化的第二电流基准模块；所述第一电流基准模块的输出端为具有负温系数的电流基准NTC，所述第二电流基准模块的输出端为具有正温系数的电流基准PTC；所述第一电流基准模块的输出端与所述第二电流基准模块的输出端为并联结构，且所述并联后的第一电流基准模块的输出端与所述第二电流基准模块的输出端作为偏置电路结构的输出端。

2.根据权利要求1所述的应用于多种电压的偏置电路结构，其特征在于，所述第一电流基准模块包括电阻R1、电容C1、PMOS场效应管MP1和MP2以及NMOS场效应管MN1和MN2；

所述电阻R1的一端连接电源，所述电阻R1的另一端与所述NMOS场效应管MN1的漏极连接，所述NMOS场效应管MN1的栅极分别与所述NMOS场效应管MN1的漏极以及NMOS场效应管MN2的栅极连接，所述NMOS场效应管MN1的源极接地，所述NMOS场效应管MN2的源极接地，所述NMOS场效应管MN2的漏极与所述PMOS场效应管MP1的漏极连接，所述PMOS场效应管MP1的源极连接电源，所述PMOS场效应管MP1栅极分别与电容C1的一端、所述PMOS场效应管MP2的栅极以及NMOS场效应管MN2的漏极连接，所述电容C1的另一端连接电源，所述PMOS场效应管MP2的漏极为所述第一电流基准模块的输出端，并与所述第二电流基准模块的输出端并联，所述PMOS场效应管MP2的源极连接电源。

3.根据权利要求2所述的应用于多种电压的偏置电路结构，其特征在于，所述第一电流基准模块的电阻电流表达式如下：

其中，I_NTC表示第一电流基准模块的电阻电流，VCC表示电源电压，VGS_MN1表示NMOS场效应管MN1的栅源电压，R1表示电阻。

4.根据权利要求3所述的应用于多种电压的偏置电路结构，其特征在于，所述第一电流基准模块的电阻电流温度系数的表达式如下：

其中，表示第一电流基准模块电阻电流I_NTC关于电流温度的求偏导系数，R与R1均表示电阻，T表示温度，VGS_MN1表示NMOS场效应管MN1的栅源电压，VCC表示电源电压，TCR表示温度系数，表示阻随温度的变化率。

5.根据权利要求4所述的应用于多种电压的偏置电路结构，其特征在于，所述第二电流基准模块包括启动电路单元以及与所述启动电路单元连接的核心基准单元。

6.根据权利要求5所述的应用于多种电压的偏置电路结构，其特征在于，所述启动电路单元包括电阻R2、PMOS场效应管MP3以及NMOS场效应管MN3和MN4；

所述PMOS场效应管MP3的源极连接电源，所述PMOS场效应管MP3的栅极连接电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端接地，所述PMOS场效应管MP3的漏极分别与所述NMOS场效应管MN4的栅极以及NMOS场效应管MN3的漏极连接，所述NMOS场效应管MN3的源极接地，所述NMOS场效应管MN4的源极接地，所述NMOS场效应管MN4的漏极以及NMOS场效应管MN3的栅极均与所述核心基准单元连接。