[发明专利]一种基于纳米波纹结构的纳流控芯片的制备方法在审
申请号: | 202110791031.3 | 申请日: | 2021-07-13 |
公开(公告)号: | CN113426500A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 耿延泉;李子翰;闫永达 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00 |
代理公司: | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人: | 李智慧 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 波纹 结构 纳流控 芯片 制备 方法 | ||
1.一种基于纳米波纹结构的纳流控芯片的制备方法,其特征在于所述方法包括如下步骤:
步骤一、纳米波纹结构加工
使用AFM在聚碳酸酯薄膜表面进行往复扫描加工,通过控制探针的运动轨迹得到纳米波纹结构;
步骤二、纳米通道阵列制备
以PDMS和固化剂为转印材料,通过PDMS转印得到带有纳米通道阵列的PDMS片;
步骤三、微通道模板制备
采用光刻法在单晶硅基底上加工微通道结构,通过PDMS转印得到带有微通道的PDMS片;
步骤四、微、纳通道键合
采用氧等离子体清洗机对带有纳米通道阵列的PDMS片和带有微通道的PDMS片进行键合,得到带有纳米通道阵列的纳流控芯片。
2.根据权利要求1所述的基于纳米波纹结构的纳流控芯片的制备方法,其特征在于所述运动轨迹为Z形轨迹或矩形轨迹,扫描速度为10~120μm/s,进给量为10 ~50 nm。
3.根据权利要求1所述的基于纳米波纹结构的纳流控芯片的制备方法,其特征在于所述波纹结构由凸起和沟槽阵列组成,凸起高度大于沟槽深度。
4.根据权利要求3所述的基于纳米波纹结构的纳流控芯片的制备方法,其特征在于所述凸起高度为100~400nm。
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