[发明专利]一种电子级无水氟化氢阴离子去除装置在审

专利信息
申请号: 202110786208.0 申请日: 2021-07-12
公开(公告)号: CN113426154A 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 江伟;胡洪峰;金国军;谢钺 申请(专利权)人: 宣城亨泰电子化学材料有限公司
主分类号: B01D5/00 分类号: B01D5/00;B01D15/10;B01D15/14;B01D53/00;C01B7/19
代理公司: 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 代理人: 龙海丽
地址: 242000 安徽省宣城市宣*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 电子 无水 氟化氢 阴离子 去除 装置
【说明书】:

发明公开了一种电子级无水氟化氢阴离子去除装置,包括急速冷凝器、阴离子去除塔和升温器,急速冷凝器包括被冷媒包裹的冷凝导流管;阴离子去除塔包括保温塔体、置于保温塔体内且与入料口连通的喷淋头以及分别置于喷淋头的下部和上部的下吸附区和上吸附区,下吸附区和上吸附区内均分别设置有吸附芯和过滤网,吸附芯靠近喷淋头设置;吸附芯主要由金属网箱和填充于金属网箱内的吸附颗粒组成,吸附颗粒活性成分为氧化钙;本发明的电子级无水氟化氢阴离子去除装置,实现对电子级无水氟化氢制备过程中反应后携带的阴离子进行去除,去除效果好,去除操作快速简单,成本低。

技术领域

本发明属于氟化氢制备领域,更具体的说涉及一种电子级无水氟化氢阴离子去除装置。

背景技术

氢氟酸,相对分子量20.006,为无色液体,具有强烈刺激性气味和腐蚀性。氢氟酸的密度(25℃)为1.13g/ml(40%重量)。电子级超高纯氢氟酸是半导体制造中常用的一种重要化学品,主要应用于大规模集成电路,作为清洗剂和腐蚀剂使用。

现有技术中,制备电子级无水氟化氢的原料主要有两种,一种是通过工业无水氟化氢进行纯化,另一种是通过萤石和浓硫酸进行反应制得。在以萤石和硫酸为原料制备电子级无水氟化氢中,对反应物中阴离子的去除是一大难点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电子级无水氟化氢阴离子去除装置,实现对电子级无水氟化氢制备过程中反应后携带的阴离子进行去除,去除效果好,去除操作快速简单,成本低。

本发明技术方案一种电子级无水氟化氢阴离子去除装置,包括依次串设的急速冷凝器、阴离子去除塔和升温器,所述急速冷凝器包括被冷媒包裹的冷凝导流管,所述冷凝导流管内径由进口端至出口端逐渐缩小;

冷凝导流管的出口与所述阴离子去除塔的入料口连通,所述阴离子去除塔包括保温塔体、置于所述保温塔体内且与所述入料口连通的喷淋头以及分别置于所述喷淋头的下部和上部的下吸附区和上吸附区,所述下吸附区和所述上吸附区内均分别设置有吸附芯和过滤网,所述吸附芯靠近所述喷淋头设置;

所述吸附芯主要由金属网箱和填充于所述金属网箱内的吸附颗粒组成,所述吸附颗粒活性成分为氧化钙。

优选地,所述急速冷凝器还包括急速冷凝箱,所述冷凝导流管置于所述急速冷凝箱内,所述冷媒填充于所述急速冷凝箱内并包裹冷凝导流管;

所述冷凝导流管在所述急速冷凝箱内呈由上之下盘叠设置,冷凝导流管较高的端部为进口。

优选地,所述吸附颗粒按照以下方法制备:

S1、备料,准备干燥的活性炭粉末和氧化钙粉末;

S2、制备基料,将活性炭粉末和氧化钙粉末进行间隔层叠压片,获得吸附基料,每层厚度为0.1~1mm;

S3,制备吸附颗粒,将制备的基料通过破碎机进行破碎,最后过滤,去除破碎过程中产生的粉尘,获得呈宏观颗粒状结构的吸附颗粒,所述吸附颗粒的粒径为0.5~2mm。

优选地,所述喷淋头为雾化喷头,所述过滤网为金属过滤网。

优选地,所述保温塔体的底部和顶部均分别设置有液料出口和气体出口,所述液料出口与所述升温器连通,所述升温器上设置有排气口,所述气体出口与所述排气口均连接精馏塔。

优选地,所述升温器包括容腔和对容腔进行加热的加热装置,所述加热装置包括设置在容腔外部的夹套和与所述夹套连通的蒸汽发生器。

本发明技术方案的一种电子级无水氟化氢阴离子去除装置的有益效果是:

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