[发明专利]微透镜阵列耦合反射层结构制备方法

权利要求书

1.一种微透镜阵列耦合反射层结构的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上制备微透镜阵列，包括：在衬底上依次形成缓冲层、牺牲层、量子点及上盖层；对所述上盖层表面进行加工形成圆形周期阵列的掩膜层；对所述掩膜层及所述上盖层进行腐蚀形成微透镜阵列；其中，所述微透镜阵列包括量子点及包覆所述量子点的上盖层，所述上盖层表面为周期阵列排布的凸起结构；

将所述微透镜阵列从所述衬底上剥离后转移至广谱反射层上，包括：解离所述衬底形成小尺寸的基片；在基片的微透镜阵列表面涂覆黑蜡保护层；采用HF腐蚀所述牺牲层以使衬底及缓冲层被剥离；将所述微透镜阵列转移至广谱反射层上并除去所述黑蜡保护层，以形成所述微透镜阵列耦合反射层结构。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述广谱反射层包括Au或Ag。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述上盖层表面进行加工形成圆形周期阵列的掩膜层包括：

所述上盖层表面上旋涂负性光刻胶；

对所述负性光刻胶进行光学曝光、显影、定影，形成圆形周期阵列孔洞；

沉积介电层；

剥离去除所述负性光刻胶及圆形周期阵列孔洞之外的所述介电层，形成所述掩膜层。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述对所述掩膜层及所述上盖层进行腐蚀形成微透镜阵列包括：

配制腐蚀液，所述腐蚀液组成为H₂O₂：H₂SO₄：H₂O；

采用所述腐蚀液，对所述掩膜层及所述上盖层进行各向异性的酸性腐蚀，形成微透镜阵列。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述配制腐蚀液采用的体积比为H₂O₂∶H₂SO₄∶H₂O＝(0.1～10)∶(100～400)∶1000。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上依次形成缓冲层、牺牲层、量子点及上盖层包括：

在GaAs衬底上外延生长GaAs缓冲层、AlGaAs牺牲层、量子点及GaAs上盖层。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，采用低温蒸发溅射工艺沉积所述介电层，所述介电层包括二氧化硅或氮化硅材料。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述剥离去除所述负性光刻胶及圆形周期阵列孔洞之外的所述介电层包括：

依次采用丙酮和乙醇溶液除去所述负性光刻胶及圆形周期阵列孔洞之外的所述介电层。