[发明专利]一种在轨标校质谱仪基础参数的方法有效
| 申请号： | 202110766464.3 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113484401B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 刘子恒;李健楠;苏菲;贺怀宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院地质与地球物理研究所 |
| 主分类号： | G01N27/62 | 分类号： | G01N27/62 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳区北土*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 轨标校 质谱仪 基础 参数 方法 | ||
1.一种在轨标校质谱仪基础参数的方法，包括以下步骤：
(1)在真空条件下，将硅酸盐矿物进行加热，得到熔融态硅酸盐矿物；
(2)将所述步骤(1)得到的熔融态硅酸盐矿物置于标准气体的环境中进行吸附，然后迅速冷却得到标准样品；
所述步骤(2)中迅速冷却的速率为50～200℃/min；
(3)将所述步骤(2)得到的标准样品预装于质谱仪的热控装置中，进行在轨加热，使吸附的标准气体释放到质谱仪中，对质谱仪的基础参数进行在轨标校。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中硅酸盐矿物包括辉石和/或铁橄榄石。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硅酸盐矿物为铁橄榄石。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中硅酸盐矿物的粒度不小于50目。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中真空的真空度为0.00001Pa以下。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中标准气体为稀有气体。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述稀有气体为氦气和氙气。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中在轨加热的温度为不小于600℃。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中在轨加热的时间为不小于10min。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中的基础参数包括质量轴、分辨率和灵敏度。
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