[发明专利]一种脉冲宽度调制整流器、制氢的装置及制氢的方法

权利要求书

1.一种脉冲宽度调制整流器，其特征在于，所述脉冲宽度调制整流器应用于制氢的装置，所述脉冲宽度调制整流器包括：可控硅电路和可控交流/直流电路；

所述可控硅电路的输入侧用于连接交流电源；所述可控硅电路的输出侧用于连接制氢槽；所述可控交流/直流电路的输入侧用于连接所述交流电源；所述可控交流/直流电路的输出侧用于连接所述制氢槽；

所述可控硅电路，用于将所述交流电源的交流电转换为直流电；

所述可控交流/直流电路，用于将所述交流电源输出的交流电转换成电压逐渐升高的直流电并为所述制氢槽充电；当所述可控交流/直流电路的输出电压大于预设电压时，所述可控硅电路的输入侧连接所述交流电源。

2.根据权利要求1所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，还包括：输出电容；所述可控硅电路的输出侧包括所述可控硅电路的正输出端和所述可控硅电路的负输出端；

所述输出电容连接在所述可控硅电路的正输出端和所述可控硅电路的负输出端之间；

所述可控交流/直流电路，具体用于将所述交流电源输出的交流电转换成电压逐渐升高的直流电并为所述制氢槽和所述输出电容充电。

3.根据权利要求2所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，还包括：控制器；

所述控制器，用于控制所述可控交流/直流电路将所述交流电源输出的交流电转换成电压逐渐升高的直流电并为所述制氢槽和所述输出电容充电；当所述可控交流/直流电路的输出电压大于预设电压时，控制所述可控硅电路的输入侧连接所述交流电源。

4.根据权利要求3所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，还包括：第一开关；

所述第一开关的第一端用于连接交流电源，所述第一开关的第二端连接所述可控硅电路的输入侧；

所述控制器，具体用于当所述可控交流/直流电路的输出电压大于预设电压时，闭合所述第一开关，所述可控硅电路的输入侧通过所述第一开关连接所述交流电源。

5.根据权利要求4所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，还包括：交流滤波电路；

所述交流滤波电路的输入侧连接所述第一开关的第二端；所述交流滤波电路的输出侧连接所述可控硅电路的输入侧；

或，

所述交流滤波电路的输入侧用于连接所述可控交流/直流电路的输入侧；所述交流滤波电路的输出侧连接所述第一开关的第一端。

6.根据权利要求4所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，还包括：交流滤波电路；

所述交流滤波电路的输入侧用于连接所述交流电源；所述交流滤波电路的输出侧连接所述可控交流/直流电路的输入侧。

7.根据权利要求1所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，所述可控交流/直流电路包括：晶闸管相控整流器。

8.根据权利要求1所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，所述可控交流/直流电路包括：不可控交流/直流电路和直流/直流变换电路。

9.根据权利要求1所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，所述可控硅电路工作于脉冲宽度调制整流模式；

或，

所述可控硅电路工作于不可控整流模式。

10.根据权利要求1所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，所述可控硅电路工作于脉冲宽度调制整流模式时，所述可控硅电路为以下任意一种：

单相可控硅电路、两相可控硅电路、三相可控硅电路和四相可控硅电路。

11.根据权利要求2所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，所述可控硅电路工作于脉冲宽度调制整流模式时，所述可控硅电路为以下任意一种：

两电平可控硅电路、三电平可控硅电路、四电平可控硅电路和五电平可控硅电路。