[发明专利]高压低功耗带隙基准电压源

权利要求书

1.高压低功耗带隙基准电压源，其特征在于，包括一个N沟道JFET，带隙核心电路、反馈电路和启动电路皆连接到N沟道JFET的源极，

所述反馈电路用于调节基准带隙电压大小；

所述启动电路用于产生一个初始电压用于带隙基准核心电路部分的启动；

JFET的漏极接高电平VDD，栅极接地，源极接参考点；

所述带隙核心电路部分包括第一pnp三极管（Q1）、第二pnp三极管（Q2）、第三npn三极管（Q3）和第四npn三极管（Q4），

第一pnp三极管（Q1）的发射级通过第一电阻（R1）接参考点，基级接第二pnp三极管的基级，基极还通过第六电阻（R6）接集电极，集电极作为第一带隙输出点A；

第二pnp三极管（Q2）的发射级通过第二电阻（R2）接参考点，基极通过第七电阻（R7）接集电极，集电极作为第二带隙输出点B；

第三npn三极管（Q3）的集电极接第一pnp三极管（Q1）的集电极、发射极通过第十电阻（R10）接地，基极接第二参考点；

第四npn三极管（Q4）的集电极接第二pnp三极管（Q2）的集电极、发射极通过第九电阻（R9）接第三npn三极管（Q3）的发射极，基极接第二参考点；

所述反馈电路包括第五pnp三极管（Q5）、第六pnp三极管（Q6）、第七npn三极管（Q7）、第八npn三极管（Q8），

第五pnp三极管(Q5)发射极通过第三电阻（R3）接参考点，基极接第一带隙输出点A；

第六pnp三极管(Q6)发射极通过第四电阻（R4）接参考点，基极接第二带隙输出点B，集电极接第二参考点；

第七npn三极管（Q7）的集电极和基极接第五pnp三极管(Q5)集电极，发射极通过第十一电阻（R11）接地；

第八npn三极管（Q8）的集电极接第二参考点，发射极通过第十二电阻（R12）接地。

2.如权利要求1所述的高压低功耗带隙基准电压源，其特征在于，所述启动电路包括：

第一PMOS管（MP1），其源极接参考点，漏极通过第八电阻（R8）接第二参考点，

第一NMOS管（MN1），其漏极通过第五电阻（R5）接参考点，漏极还通过第一电容（C1）接参考点，漏极还通过反相器接第一PMOS管（MP1）的栅极，其栅极接第二参考点，其栅极还通过第二电容（C2）接地，其源极接地，第二参考点连接参考电压输出端。