[发明专利]近场通信装置在审
申请号: | 202110754352.6 | 申请日: | 2021-07-02 |
公开(公告)号: | CN113890571A | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 安东尼·凯斯拉斯;莉斯贝思·戈麦 | 申请(专利权)人: | 恩智浦有限公司 |
主分类号: | H04B5/00 | 分类号: | H04B5/00;H04B5/02;H01Q1/22 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 近场 通信 装置 | ||
1.一种近场装置,其特征在于,包括:
导电外壳,所述导电外壳物理地耦合到所述近场装置;
近场天线,所述近场天线具有第一馈电点和第二馈电点,并且包括:
第一感应线圈,所述第一感应线圈具有耦合到所述第一馈电点的第一端、耦合到所述第二馈电点的第二端,以及连接点;
导电板,所述导电板电容性地耦合到所述导电外壳,并且耦合到所述第一感应线圈的所述第一端;
调谐电路,所述调谐电路耦合到所述第一馈电点和所述第二馈电点,并且包括:
第一电容组、第二电容组、第一电阻组以及第二电阻组;
其中所述电容组中的每一个的一端和所述电阻组中的每一个的一端耦合到所述第一馈电点或所述第二馈电点;
基准电位;
其中所述电容组中的每一个的另一端和所述电阻组中的每一个的另一端耦合到所述基准电位;
其中所述连接点电流地耦合到所述基准电位;并且
其中所述导电外壳电流地耦合到所述基准电位;
其中所述第一感应线圈被配置成接收或发射近场磁信号;并且
其中所述导电板和所述导电外壳被配置成接收或发射近场电信号。
2.根据权利要求1所述的装置:
其特征在于,所述连接点处的电压为零伏。
3.根据权利要求1所述的装置:
其特征在于,所述连接点处的电压与所述基准电位处的电压相同。
4.根据权利要求1所述的装置:
其特征在于,所述基准电位是接地电位。
5.根据权利要求1所述的装置:
其特征在于,所述第一感应线圈缠绕所述导电外壳。
6.根据权利要求1所述的装置:
其特征在于,另外包括在第一感应线圈与所述导电外壳之间的铁氧体薄片。
7.根据权利要求1所述的装置:
其特征在于,另外包括收发器,所述收发器耦合到所述调谐电路、所述第一馈电点和所述第二馈电点;并且
其中所述收发器仅包括连接到第一馈电点和第二馈送点的一个低噪声放大器LNA和/或功率放大器。
8.根据权利要求1所述的装置:
其特征在于,所述导电板与所述导电外壳相隔距离D1,从而产生电容Ca1;
其中所述导电外壳被配置成与用户相隔距离D2;并且
其中D2小于D1。
9.根据权利要求8所述的装置:
其特征在于,以法拉为单位的Ca1=(A1∈o∈r1)/D1,式中:A1=所述导电板的有效表面积;D1=所述导电板与所述导电外壳之间的距离;∈o=自由空间的电容率;并且∈r1=所述导电板与所述导电外壳之间的材料的相对电容率;并且
其中所述材料是非铁氧体衬底。
10.根据权利要求8所述的装置:
其特征在于,所述第一电容组具有电容C1;
其中所述第二电容组具有电容C2;
其中V是所述第一馈电点和所述第二馈电点上的电压;并且
其中V=Ve Q Ce/(Ce+CT),式中:Ve=以伏为单位的电容Ce中感应的等效电压;Q=天线系统的品质因数;Ce=通过电容Ca1形成的所述第一馈电点和所述第二馈电点上的等效电容;并且CT=电容C1和C2的串联总和。
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