[发明专利]Buck-Boost电路的模式平滑切换方法及系统

权利要求书

1.一种Buck-Boost电路的模式平滑切换方法，所述Buck-Boost电路为四开关Buck-Boost电路，包括电源输入端、电压输出端、第一MOSFET管、第二MOSFET管、第三MOSFET管、第四MOSFET管、滤波电感、输入滤波电容和输出滤波电容，所述第一MOSFET管的输入端与所述电源输入端的正极相连，所述第一MOSFET管的输出端与所述第二MOSFET管的输入端相连，所述第二MOSFET管的输出端与所述电源输入端的负极相连，所述第三MOSFET管的输入端与所述电压输出端的正极相连，所述第三MOSFET管的输出端与所述第四MOSFET管的输入端相连，所述第四MOSFET管的输出端与所述电压输出端的负极相连，所述滤波电感连接在所述第一MOSFET管的输出端与所述第三MOSFET管的输出端之间，所述输入滤波电容连接在所述电源输入端的正极与负极之间，所述输出滤波电容连接在所述电压输出端的正极与负极之间，其特征在于，所述方法包括：

获取与所述Buck-Boost电路连接的控制环路输出的占空比D；

将占空比D给所述第四MOSFET管，将占空比1-D给所述第三MOSFET管，将占空比1+D给所述第一MOSFET管，以及将占空比-D给所述第二MOSFET管，实现自动且平滑地切换所述Buck-Boost电路的模式；

所述方法还包括：

若所述第三MOSFET管的死区Dead_Time满足D≤Dead_Time且PreD≤Dead_Time，则修改所述第三MOSFET管的死区Dead_Time，以使所述第三MOSFET管的驱动平滑过渡；

其中，PreD为前一拍的占空比；

修改所述第三MOSFET管的死区Dead_Time时的计算公式为Dead_Time＝2*D；

所述方法还包括：

若所述第一MOSFET管的死区Dead_Time满足-D≤Dead_Time且-PreD≤Dead_Time，则修改所述第一MOSFET管的死区Dead_Time，以使所述第一MOSFET管的驱动平滑过渡；

其中，PreD为前一拍的占空比；

修改所述第一MOSFET管的死区Dead_Time时的计算公式为Dead_Time＝-2*D。

2.一种Buck-Boost电路的模式平滑切换系统，所述系统包括：

占空比获取模块，用于获取与所述Buck-Boost电路连接的控制环路输出的占空比D；

占空比给定模块，用于将占空比D给第四MOSFET管，将占空比1-D给第三MOSFET管，将占空比1+D给第一MOSFET管，以及将占空比-D给第二MOSFET管，实现自动且平滑地切换所述Buck-Boost电路的模式；

所述系统还包括第一修改模块：

若所述第三MOSFET管的死区Dead_Time满足D≤Dead_Time且PreD≤Dead_Time，则修改所述第三MOSFET管的死区Dead_Time，以使所述第三MOSFET管的驱动平滑过渡；

其中，PreD为前一拍的占空比；

所述第一修改模块在修改所述第三MOSFET管的死区Dead_Time时的计算公式为Dead_Time＝2*D；

所述系统还包括第二修改模块：

若所述第一MOSFET管的死区Dead_Time满足-D≤Dead_Time且-PreD≤Dead_Time，则修改所述第一MOSFET管的死区Dead_Time，以使所述第一MOSFET管的驱动平滑过渡；

其中，PreD为前一拍的占空比；

所述第二修改模块在修改所述第一MOSFET管的死区Dead_Time时的计算公式为Dead_Time＝-2*D。