[发明专利]一种非晶磁粉芯的冷处理方法有效
| 申请号： | 202110730712.9 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113192747B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 于昊龙;黄玉攀 | 申请（专利权）人： | 江苏知行科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/153;B22F1/00 |
| 代理公司： | 江苏长德知识产权代理有限公司 32478 | 代理人： | 詹朝 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非晶磁粉芯 冷处理 方法 | ||
1.一种非晶磁粉芯的冷处理方法，其特征在于，以非晶磁粉芯作为基于帕尔帖原理的半导体制冷电路的冷端，以先通恒电流降温、再通电流恒温的方式进行冷处理；同时利用半导体制冷电路中的电子在非晶磁粉芯内的导流对非晶磁粉芯的内部进行磁通的梳理；
所述半导体制冷电路的电源设有PWM电流调制器；
控制装置根据与非晶磁粉芯接触的温度传感器的反馈通过PWM电流调制器调节电路中的电流强度；
冷处理的温度不高于-70℃，时间不低于30min。
2.根据权利要求1所述的一种非晶磁粉芯的冷处理方法，其特征在于，所述半导体制冷电路包括串接的电源、第一铜基片、第二铜基片、N型半导体、P型半导体和磁粉芯；
第一铜基片接电源正极，第二铜基片接电源负极，N型半导体的一端接第一铜基片，P型半导体的一端接第二铜基片，N型半导体的另一端和P型半导体的另一端分别接非晶磁粉芯的两端。
3.根据权利要求2所述的一种非晶磁粉芯的冷处理方法，其特征在于，所述电源为20-50A的直流电源。
4.根据权利要求3所述的一种非晶磁粉芯的冷处理方法，其特征在于，所述直流电源为30A。
5.根据权利要求2所述的一种非晶磁粉芯的冷处理方法，其特征在于，所述半导体制冷电路或电源设有开关，所述开关由所述控制装置根据所述温度传感器的反馈驱动启闭。
6.根据权利要求2所述的一种非晶磁粉芯的冷处理方法，其特征在于，所述第一铜基片和第二铜基片的外表面分别设有散热基板。
7.根据权利要求2所述的一种非晶磁粉芯的冷处理方法，其特征在于，所述第一铜基片和第二铜基片的外表面共用散热基板。
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