[发明专利]电源钳位电路及ESD保护电路有效
申请号: | 202110710930.6 | 申请日: | 2021-06-25 |
公开(公告)号: | CN113422503B | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 谭波 | 申请(专利权)人: | 深圳木芯科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02H9/04 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 王勇;邓小玲 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区南山街*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电源 电路 esd 保护 | ||
1.一种电源钳位电路,其特征在于,包括:
第一场效应管,连接于电源与地之间,用于释放ESD电流;
第一电容,连接于所述电源;
第一电阻,所述第一电阻一端连接于所述第一电容与所述第一场效应管,所述第一电阻另一端连接于所述地;
第二电容,连接于所述电源;及
第二电阻,所述第二电阻一端连接于所述第二电容与所述第一场效应管,所述第二电阻另一端连接于所述地;
当有ESD事件发生时,所述第一电容与所述第一电阻用于控制所述第一场效应管从截止状态进入导通状态,所述第二电容与所述第二电阻用于给所述第一场效应管的衬底提供偏置电压,以使所述第一场效应管进入所述导通状态的阈值电压降低;
还包括:
第三场效应管,连接于所述第一场效应管、所述第二电容、所述第二电阻及所述地,所述第三场效应管为p沟道的场效应管,所述第三场效应管的栅极连接于所述地,所述第三场效应管的源极连接于所述第二电容与所述第一场效应管的衬底,所述第三场效应管的漏极连接于所述第二电阻;所述第三场效应管用于加快所述第一场效应管的衬底电压上升的速度,从而加速所述第一场效应管的导通速度,加强ESD放电能力。
2.根据权利要求1所述的电源钳位电路,其特征在于,所述第一场效应管为n沟道的场效应管。
3.根据权利要求2所述的电源钳位电路,其特征在于,所述第一场效应管的栅极连接于所述第一电容与所述第一电阻,所述第一场效应管的漏极连接于所述电源,所述第一场效应管的源极连接于所述地,所述第一场效应管的衬底连接于所述第二电容与所述第二电阻。
4.根据权利要求1-3任一项所述的电源钳位电路,其特征在于,还包括第二场效应管,连接于所述第一场效应管、第一电容、第一电阻及所述地。
5.根据权利要求4所述的电源钳位电路,其特征在于,所述第二场效应管为p沟道的场效应管,所述第二场效应管的栅极连接于所述地,所述第二场效应管的源极连接于所述第一电容与所述第一场效应管的栅极,所述第二场效应管的漏极连接于所第一电阻。
6.根据权利要求5所述的电源钳位电路,其特征在于,在所述ESD事件的瞬态过程中,所述第一场效应管的栅极电压是所述第一电容与所述第一电阻在瞬态信号下的线性分压,所述第二场效应管用于加快所述第一场效应管的栅极电压上升的速度,从而加速所述第一场效应管的导通速度,加强ESD放电能力。
7.一种ESD保护电路,其特征在于,包括:
第一二极管,连接于电源与第一IO引脚之间;
第二二极管,连接于所述第一IO引脚与地之间;
第三二极管,连接于所述电源与第二IO引脚之间;
第四二极管,连接于所述第二IO引脚与所述地之间;
如权利要求1-6任一项所述的电源钳位电路,连接于所述电源与所述地之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳木芯科技有限公司,未经深圳木芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110710930.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置