[发明专利]一种显示基板和显示装置在审
申请号: | 202110705468.0 | 申请日: | 2021-06-24 |
公开(公告)号: | CN113299201A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 汪杨鹏;何帆;王琦伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G09F9/33 | 分类号: | G09F9/33;H01L27/32;G09G3/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 显示装置 | ||
一种显示基板和显示装置,其中,显示基板包括:显示区和包围显示区的非显示区,显示区包括:多条沿第一方向延伸的扫描线和阵列排布的多个子像素,显示区包括:第一显示区和第二显示区,第一显示区位于第二显示区的外围,第二显示区包括:透光显示区和过渡显示区,过渡显示区位于透光显示区的侧面;透光显示区包括:m行n列子像素,过渡显示区包括:m行n列子像素,透光显示区的第i行子像素和过渡显示区的第i行子像素位于同一行;位于过渡显示区的每个子像素包括:像素电路和发光元件,位于过渡显示区的第i行和第i+1行子像素的像素电路连接同一扫描线。
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域,特别涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes,简称QLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展,以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
目前,全面屏手机的概念已在手机市场受到广泛的关注,也是未来手机的发展方向。这种全面屏手机中,可以将摄像头隐藏起来以使正面可视区域几乎全是屏幕,从而使用户得到较佳的显示效果。
发明内容
以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
第一方面,本公开提供了一种显示基板,包括:显示区和包围所述显示区的非显示区,所述显示区包括:多条沿第一方向延伸的扫描线和阵列排布的多个子像素,所述显示区包括:第一显示区和第二显示区,所述第一显示区位于所述第二显示区的外围,所述第二显示区包括:透光显示区和过渡显示区,所述过渡显示区位于所述透光显示区的侧面;
所述透光显示区包括:m行n列子像素,位于透光显示区的每个子像素包括:发光元件,位于透光显示区的第i行中的每个子像素的发光元件与位于透光显示区的第i+1行,且同一颜色的子像素的发光元件电连接,i为小于或者等于m的奇数;
所述过渡显示区包括:m行n列子像素,所述透光显示区的第i行子像素和所述过渡显示区的第i行子像素位于同一行;位于过渡显示区的每个子像素包括:像素电路和发光元件,位于过渡显示区的第i行中的每个子像素的发光元件与位于过渡显示区的第i+1行,且同一颜色的子像素的发光元件电连接;位于过渡显示区的第i行子像素的像素电路和发光元件电连接,位于过渡显示区的第i+1行第j列的子像素的像素电路与位于透光显示区的第i+1行第j列的子像素的发光元件电连接,j为小于或者等于n的正整数;
位于过渡显示区的第i行和第i+1行子像素的像素电路连接同一扫描线。
在一些可能的实现方式中,位于过渡显示区的第i行和第i+1行子像素的像素电路连接第一扫描线或者第二扫描线;
其中,所述第一扫描线为与位于过渡显示区的第i行子像素位于同一行,且位于第一显示区的子像素所连接的扫描线;所述第二扫描线为与位于过渡显示区的第i+1行子像素位于同一行,且位于第一显示区的子像素所连接的扫描线。
在一些可能的实现方式中,所述第一显示区包括:多个子像素,位于第一显示区的每个子像素包括:像素电路和发光元件;位于同一行的至少三个子像素构成一个像素单元;所述发光元件包括:阳极、有机发光层和阴极;
位于透光显示区的第i行第k列像素单元中的每个子像素的发光元件的阳极分别与位于透光显示区的第i+1行第k列像素单元中的一个相同颜色的子像素的发光元件的阳极电连接,k为小于或者等于K的正整数,K=n/3或者n/4;
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