[发明专利]传导干扰抑制电路和功率变换器在审
申请号: | 202110696455.1 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN113452246A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 吴启添;吴洪清;吴勇;濮兴昕;杨静怡 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/42 | 分类号: | H02M1/42;H02M1/14;H02M1/44;H02M1/08 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 卢万腾 |
地址: | 519070*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传导 干扰 抑制 电路 功率 变换器 | ||
1.一种传导干扰抑制电路,其特征在于,包括:整流单元、第一滤波单元、驱动单元;
所述整流单元包括电源输入端和电源输出端,所述电源输入端用于连接交流电源,所述电源输出端设置有第一输出引脚和第二输出引脚;
所述第一输出引脚与所述第一滤波单元的一端相连接,所述第二输出引脚与所述第一滤波单元的另一端相连接;
所述驱动单元设置有第一输入引脚、第二输入引脚、第三输出引脚和第四输出引脚;
所述第一输入引脚与所述第一输出引脚相连接,所述第二输入引脚用于接入驱动所述驱动单元工作的驱动信号;
所述第三输出引脚与所述第二输出引脚相连接,且所述第三输出引脚与所述第四输出引脚用于接入负载。
2.根据权利要求1所述的传导干扰抑制电路,其特征在于,所述传导干扰抑制电路还包括:第二滤波单元;
所述整流单元的电源输入端设置有第三输入引脚和第四输入引脚,所述第三输入引脚与所述第二滤波单元的一端相连接,所述第四输入引脚与所述第二滤波单元的另一端相连接。
3.根据权利要求1或2所述的传导干扰抑制电路,其特征在于,所述传导干扰抑制电路还包括:第三滤波单元;
所述第三滤波单元的一端与所述第四输出引脚相连接,另一端接地。
4.根据权利要求3所述的传导干扰抑制电路,其特征在于,所述第三滤波单元包括电阻模块和第一电容模块;
所述第一电容模块的一端与所述第四输出引脚相连接,另一端与所述电阻模块的一端相连接;
所述电阻模块的另一端接地。
5.根据权利要求4所述的传导干扰抑制电路,其特征在于,所述电阻模块包括至少一个电阻,所述第一电容模块包括至少一个电容;
所述第一电阻模块的等效阻值为51Ω,所述第一电容模块的等效电容为2.2μF。
6.根据权利要求1或2所述的传导干扰抑制电路,其特征在于,所述第一滤波单元包括第二电容模块;
所述第二电容模块处于150KHz以上的频率时,容抗小于50Ω。
7.根据权利要求6所述的传导干扰抑制电路,其特征在于,所述第二电容模块包括至少一个电容;
所述第二电容模块的等效电容为0.68μF,所述第二电容模块包括的电容为金属化聚酯膜电容。
8.根据权利要求2所述的传导干扰抑制电路,其特征在于,所述第二滤波单元包括第三电容模块;所述第三电容模块包括至少一个电容;
所述第三电容模块的等效电容为1μF,所述第三电容模块包括的电容为金属化聚酯膜电容。
9.根据权利要求1、2、4~8任一项所述的传导干扰抑制电路,其特征在于,所述驱动单元包括电感和MOS管;
所述电感的一端与第一输入引脚连接,另一端与所述MOS管的漏极相连,所述电感的另一端与所述MOS管的漏极之间与所述第四输出引脚连接,所述MOS管的栅极与所述第二输入引脚连接,MOS管的源极与所述第三输出引脚连接。
10.一种功率变换器,其特征在于,包括电源输入端子、电源输出端子以及如权利要求1~9任一项所述的传导干扰抑制电路;
所述电源输入端子与所述传导干扰抑制电路的电源输入端连接,用于外接交流电源;
所述电源输出端子与所述传导干扰抑制电路的电源输出端连接,用于外接负载。
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H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置