[发明专利]一种用于神经网络存算阵列的温度补偿单元及方法在审
申请号: | 202110688380.2 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN113381759A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 虞致国;刘彦航;潘红兵;顾晓峰 | 申请(专利权)人: | 江南大学 |
主分类号: | H03M1/06 | 分类号: | H03M1/06;G06N3/063 |
代理公司: | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人: | 张勇 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 神经网络 阵列 温度 补偿 单元 方法 | ||
1.一种用于神经网络存算阵列的温度补偿单元,其特征在于,所述温度补偿单元用于由N型浮栅器件组成的神经网络存算阵列,所述温度补偿单元包括两列存储权重的N型浮栅器件作为参考阵列、电流减法电路、I-V转换电阻R1;
所述参考阵列中n个N型浮栅器件MR1+~MRn+的栅极接同一固定电压VGS,漏极接同一固定电压VDS,源极相连并接固定电压Vs,并且接入所述电流减法电路的正输入端;所述参考阵列中n个N型浮栅器件MR1-~MRn-的栅极接同一固定电压VGS,漏极接同一固定电压VDS,源极相连并接固定电压Vs并且接入所述电流减法电路的负输入端;
所述减法电路的输出端与所述电阻R1的一端相连并通过电压缓冲器接入所述存算阵列所连接的模数转换器的参考端;所述电阻R1的另一端接地;
所述电阻R1与所述存算阵列的读出电路中的I-V转换电阻R0参数相同。
2.根据权利要求1所述的温度补偿单元,其特征在于,所述参考阵列的器件与电流减法电路及外围电路被置于相同或不同的工艺层。
3.一种用于神经网络存算阵列的温度补偿单元,其特征在于,所述温度补偿单元用于由P型浮栅器件组成的神经网络存算阵列,所述温度补偿单元包括两列存储权重的P型浮栅器件组成的参考阵列、电流减法电路、I-V转换电阻R1;
所述参考阵列中n个P型浮栅器件MR1+~MRn+的栅极接同一固定电压VGS,漏极接同一固定电压VDS,源极相连并接固定电压Vs,并且接入所述电流减法电路的正输入端;所述参考阵列中n个P型浮栅器件MR1-~MRn-栅极接同一固定电压VGS,漏极相连并接同一固定电压VDS,源极相连并接固定电压Vs,并且接入所述电流减法电路的负输入端;
所述减法电路的输出端与所述电阻R1的一端相连并通过电压缓冲器接入所述存算阵列所连接的模数转换器的参考端;所述电阻R1的另一端接地;
所述电阻R1与所述存算阵列的读出电路中的I-V转换电阻R0参数相同。
4.根据权利要求3所述的温度补偿单元,其特征在于,所述参考阵列的器件与电流减法电路及外围电路被置于相同或不同的工艺层。
5.一种用于神经网络存算阵列的温度补偿方法,所述方法应用于根据权利要求1或3的任一项所述的温度补偿单元,其特征在于,所述方法包括:
步骤一:根据存算阵列实际工作时的温度场分布情况,确定参考阵列的数量及位置;
步骤二:根据模数转换器所需参考电压和电阻R1的值,计算出所述参考阵列中浮栅器件MR1+~MRn+和MR1-~MRn-的栅极电压VGS、漏极电压VDS以及阈值电压差ΔVTH的大小;
步骤三:根据所述步骤二的计算结果,将栅极电压VGS、漏极电压VDS从外部输入到浮栅器件的栅极和漏极,并调节浮栅器件的阈值电压VTH,以得到步骤二计算所得的阈值电压差ΔVTH。
步骤四:根据所述步骤三的操作,所述参考阵列产生参考电流IREF;并且所述参考电流IREF通过所述电阻R1转换为模数转换器的参考电压VREF。
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