[发明专利]发光元件、发光装置、电子设备、照明装置、照明系统及引导系统在审
申请号: | 202110687404.2 | 申请日: | 2016-12-06 |
公开(公告)号: | CN113773298A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 泷田悠介;濑尾哲史;铃木恒德;尾坂晴惠 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | C07D333/76 | 分类号: | C07D333/76;C07D307/91;H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李志强;梅黎 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 装置 电子设备 照明 系统 引导 | ||
1.一种发光元件,包括:
第一电极;
第二电极;以及
EL层,
其中,所述EL层位于所述第一电极与所述第二电极之间,
所述EL层包括空穴注入层、第一层、第二层、第三层以及第四层,
所述空穴注入层包含有机受体,
所述空穴注入层位于所述第一电极与所述第一层之间,
所述第二层位于所述第一层与所述第三层之间,
所述第四层位于所述第三层与所述第二电极之间,
所述第一层包含第一空穴传输材料,
所述第二层包含第二空穴传输材料,
所述第三层包含第三空穴传输材料,
所述第四层包含主体材料及发光材料,
所述第二空穴传输材料的HOMO能级深于所述第一空穴传输材料的HOMO能级,
所述主体材料的HOMO能级深于所述第二空穴传输材料的所述HOMO能级,
所述第三空穴传输材料的HOMO能级深于所述主体材料的所述HOMO能级,
所述第二空穴传输材料的所述HOMO能级与所述第三空穴传输材料的所述HOMO能级之差为0.3eV以下,
并且,所述第二空穴传输材料是具有二苯并呋喃骨架或二苯并噻吩骨架直接或通过二价芳香烃基团键合于胺的氮的结构的三芳基胺化合物。
2.根据权利要求1所述的发光元件,
其中所述第二空穴传输材料是具有一个或两个如下结构的物质,在所述结构的每一个中,所述二苯并呋喃骨架或所述二苯并噻吩骨架直接或通过所述二价芳香烃基团键合于所述胺的所述氮。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件,
其中所述二苯并呋喃骨架或所述二苯并噻吩骨架的4位直接或通过所述二价芳香烃基团键合于所述胺的所述氮。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件,
其中所述第二空穴传输材料是具有以通式(g1-1)表示的部分结构的有机化合物,
其中,Z表示氧原子或硫原子,
n表示0至3的整数,
并且,R1至R11分别独立地表示氢、碳数为1至6的饱和烃基、碳数为3至6的环状饱和烃基和核原子数为6至18的芳香烃基中的任一个。
5.根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件,
其中所述第二空穴传输材料是具有以通式(g1-2)表示的部分结构的有机化合物,
其中,Z表示氧原子或硫原子,
n表示0至3的整数,
并且,R1至R11分别独立地表示氢、碳数为1至6的饱和烃基、碳数为3至6的环状饱和烃基和核原子数为6至18的芳香烃基中的任一个。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件,
其中所述第二空穴传输材料是单胺化合物。
7.根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件,
其中所述第二空穴传输材料是以通式(G1-1)表示的有机化合物,
其中,X表示氧原子或硫原子,
n表示0至3的整数,
Ar1表示核原子数为6至18的芳香烃基中的任一个,
Ar2表示核原子数为6至18的芳香烃基和以通式(g2-1)表示的基中的任一个,
并且,R1至R11分别独立地表示氢、碳数为1至6的饱和烃基、碳数为3至6的环状饱和烃基和核原子数为6至18的芳香烃基中的任一个,
其中,Z表示氧原子或硫原子,
m表示0至3的整数,
并且,R21至R31分别独立地表示氢、碳数为1至6的饱和烃基、碳数为3至6的环状饱和烃基和核原子数为6至18的芳香烃基中的任一个。
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