[发明专利]ATRP法合成的光响应嵌段聚合物及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种嵌段聚合物，其特征在于，具有如下结构式，

其中，n为15～300，y为10～50，z为30～80；

R₁选自H、取代或未取代的C₁～C₁₂的烷基；

R₂选自取代或未取代的C₁～C₈的烷基；

R₃选自取代或未取代的C₁～C₁₀烷基、取代或未取代的C₆～C₁₀的芳基；

R₄是H或CH₃；

R₅是H或CH₃；

X是卤素原子。

2.一种嵌段聚合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，

(1)引发剂的合成：

(2)含芘丙烯酸酯类单体的合成：

(3)嵌段聚合物的合成：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，原料A和B的摩尔比为(1～5)：1；

所述步骤(1)，反应温度为0～50℃，时间为10～30h。

4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，原料D和E的摩尔比为1：(1～8)；

所述步骤(2)，反应温度为-10～55℃，时间为10～36h。

5.根据权利要求2-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)，原料C、G和F的摩尔比为1：(15～45)：(35～75)；

所述步骤(3)，反应温度为30～150℃，时间为8～25h；

所述步骤(3)，在合成所述嵌段聚合物时，依次加入原料G和F。

6.根据权利要求2-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)，合成嵌段聚合物的催化剂为过渡金属卤化物；

所述过渡金属卤化物选自铁的卤化物或铜的卤化物；

所述过渡金属卤化物与原料C的摩尔比为(0.5～15):1。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)，合成嵌段聚合物时还需要加入配体；

所述配体为含氮有机物；

所述配体的摩尔量为过渡金属卤化物的0.01～10。

8.权利要求1所述的嵌段聚合物或权利要求2-7任一项所述方法制备得到的嵌段聚合物在光控释放、光催化领域中的应用。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，将嵌段聚合物配制成聚集体溶液用于光控释放、光催化领域应用中；

所述聚集体溶液的配制方法包括以下步骤，

在所述嵌段聚合物中加入有机溶剂，然后加入水后常温蒸除有机溶剂后得到0.05～30g/L的聚集体溶液；

所述聚集体溶液中胶束的尺寸为30～600nm。

10.根据权利要求8或9所述的应用，其特征在于，所述嵌段聚合物配制得到的聚集体溶液在紫外光的照射下发生解离破坏；

所述紫外光的波长为300～500nm，强度为400～1500mW/cm²。