[发明专利]一种加热控制单元及装置

权利要求书

1.一种加热控制单元，其特征在于，包括：加热控制开关电路和供电输出电路；

所述加热控制开关电路，包括第一负温度系数热敏电阻、运算放大器和PMOS管；所述第一负温度系数热敏电阻，根据温度的变化改变阻值，以控制所述运算放大器的输出状态；所述PMOS管根据所述运算放大器的输出状态，输出相应的控制电平信号；

所述供电输出电路，包括降压式变换芯片和第二负温度系数热敏电阻；

所述控制电平信号输入至所述降压式变换芯片的使能输入端；所述第二负温度系数热敏电阻，根据温度的变化改变阻值，以控制由所述降压式变换芯片的电压输出端所输出的供电电压的大小；

所述供电输出电路，还包括：第七电阻；所述第七电阻为可调电阻；

所述第七电阻的一端连接所述第二负温度系数热敏电阻的一端，并接入至所述降压式变换芯片的反馈端；

所述第二负温度系数热敏电阻的另一端接入至所述降压式变换芯片的电压输出端，所述降压式变换芯片的电压输出端输出所述供电电压；

供电电源接入至所述降压式变换芯片的电压输入端；

所述降压式变换芯片的接地端接地；

所述加热控制开关电路，还包括：第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻；

所述第二电阻的一端与所述第一负温度系数热敏电阻的一端均与所述运算放大器的反相输入端连接；

所述运算放大器的同相输入端连接所述第三电阻的一端、所述第四电阻的一端以及所述第五电阻的一端；

所述运算放大器的输出端连接所述第五电阻的另一端和所述PMOS管的栅极；

所述PMOS管的源级、所述运算放大器的电源输入端、所述第一负温度系数热敏电阻的另一端以及所述第四电阻的另一端，连接供电电源；

所述第二电阻的另一端、所述第三电阻的另一端、所述运算放大器的接地端，均接地；

所述PMOS管的漏级输出所述控制电平信号。

2.根据权利要求1所述的加热控制单元，其特征在于，所述第五电阻为可调电阻。

3.根据权利要求1所述的加热控制单元，其特征在于，所述加热控制开关电路，还包括：第六电阻；

所述第六电阻的一端连接所述PMOS管的漏级，所述第六电阻的另一端接地。

4.根据权利要求1所述的加热控制单元，其特征在于，所述供电输出电路，还包括：第一电容；

所述第一电容的一端接入至所述供电电压，所述第一电容的另一端接地。

5.根据权利要求1所述的加热控制单元，其特征在于，所述供电输出电路，还包括：第二电容；

所述第二电容的一端接入至所述降压式变换芯片的电压输出端，所述第二电容的另一端接地。

6.一种包含权利要求1-5任一所述的加热控制单元的加热控制装置，其特征在于，还包括功率检测单元、射频信号驱动单元；

所述功率检测单元，用于检测加热型光发射次模块的发光功率；

所述射频信号驱动单元，用于为所述加热型光发射次模块的激光器芯片提供偏置电流和射频驱动电流；

所述加热控制装置，用于根据所述温度的变化，为所述加热型光发射次模块提供所述供电电压。