[发明专利]拜耳法中减少垢的方法

权利要求书

1.一种减少拜耳法中含铝硅酸盐垢的方法，包括：

鉴定在拜耳法的过程中经受垢形成的拜耳法设备表面；

使该鉴定的拜耳法设备表面与有效形成经处理的表面的量的抑垢组合物接触，该经处理的表面比其他可比较的未经处理的表面在随后与拜耳法流接触时更能抵抗垢的形成；

其中，该抑垢组合物包括含一种或多种水溶性盐的、具有至少约0.004wt/wt％或更大的总溶解盐的水溶液的液，或具有约11.0或更大的pH的液，该抑垢组合物进一步包含具有-Si(OR)_n基的含硅化合物；

其中：

n是从1至3的整数；并且

R是H、任选取代的C₁-C₂₀烷基、任选取代的C₆-C₁₂芳基、任选取代的C₇-C₂₀芳烷基、任选取代的C₂-C₂₀烯基、第I族金属离子、第II族金属离子、或NR¹₄；其中每个R¹独立地选自H、任选取代的C₁-C₂₀烷基、任选取代的C₆-C₁₂芳基、任选取代的C₇-C₂₀芳烷基、以及任选取代的C₂-C₂₀烯基；并且

使该经处理的表面与该拜耳法流接触；

其中在暴露于拜耳法流之前，先以该液中的含硅化合物的溶液预处理拜耳法设备表面；

其中含硅化合物是聚合物或聚合物型反应产物。

2.如权利要求1所述的方法，其中n为3。

3.如权利要求1所述的方法，其中该一种或多种水溶性盐的水溶液是拜耳法液。

4.如权利要求1所述的方法，其中该一种或多种水溶性盐的水溶液包含至少1.0％的总溶解盐，优选包含至少5％的总溶解盐。

5.如权利要求1所述的方法，其中该含硅化合物是聚合物或聚合物型反应产物，该聚合物或聚合物型反应产物具有悬挂到该聚合物或聚合物型反应产物上的根据式IV–的基团或端基

-Si(OR”)₃ (IV)

其中R”＝H、C_1-10烷基、芳基、芳基烷基、Na、K或NH₄⁺。

6.如权利要求5所述的方法，其中该含硅化合物为包含具有式(I)的单元和具有式(II)–的单元的聚合物或聚合物型反应产物

其中

T¹和E¹各自独立地是第一任选取代的烃基，该第一任选取代的烃基包含从约2至约40个碳；

Q¹为H或第二任选取代的烃基，该第二任选取代的烃基包含从约1至约20个碳；

A^1a和A^2a各自独立地是直接键或包含从约1至约20个碳的有机连接基团；

R^1a是H、任选取代的C₁-C₂₀烷基、任选取代的C₆-C₁₂芳基、任选取代的C₇-C₂₀芳烷基、任选取代的C₂-C₂₀烯基、第I族金属离子、第II族金属离子、或NR^2a₄，其中每个R^2a独立地选自H、任选取代的C₁-C₂₀烷基、任选取代的C₆-C₁₂芳基、任选取代的C₇-C₂₀芳烷基、以及任选取代的C₂-C₂₀烯基。