[发明专利]一种基于SPP和腔谐振的超窄带等离子体传感器在审
| 申请号： | 202110658599.8 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113533251A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 伍铁生;钟旭;刘锐;刘岩;曹卫平;王宜颖 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41;G01K11/125 |
| 代理公司： | 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人： | 张学平 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 spp 谐振 窄带 等离子体 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于SPP和腔谐振的超窄带等离子体传感器，其特征在于，
包括衬底和温敏材料，所述衬底中开设有多个矩形纳米腔，所述矩形纳米腔呈阵列周期性布置，所述温敏材料填充在所述矩形纳米腔内。
2.如权利要求1所述的基于SPP和腔谐振的超窄带等离子体传感器，其特征在于，
所述矩形纳米腔的长度值w为500nm，宽度值h2为300nm，所述矩形纳米腔的阵列周期P为1200nm。
3.如权利要求2所述的基于SPP和腔谐振的超窄带等离子体传感器，其特征在于，
所述矩形纳米腔的上边距离所述衬底顶部的高度值h1为20nm，所述矩形纳米腔的下边距离所述衬底底部的高度值h3为500nm。
4.如权利要求3所述的基于SPP和腔谐振的超窄带等离子体传感器，其特征在于，
所述基于SPP和腔谐振的超窄带等离子体传感器还包括入射光源，所述入射光源为TM偏振光，波长范围为800～1800nm，所述入射光源从所述衬底的上部入射。
5.如权利要求4所述的基于SPP和腔谐振的超窄带等离子体传感器，其特征在于，
所述衬底为金属银，所述温敏材料为乙醇。
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