[发明专利]一种磁聚焦场致发射微电推进装置

权利要求书

1.一种磁聚焦场致发射微电推进装置，其特征在于，所述磁聚焦场致发射微电推进装置包括推进剂存储腔、支撑连接结构、绝缘基底、发射极、绝缘支撑结构、栅极和环形磁铁，其中：

所述支撑连接结构安装于所述推进剂存储腔的输出端，所述发射极通过所述绝缘基底安装于所述支撑连接结构上，所述支撑连接结构、所述绝缘基底上均开设有通孔，所述支撑连接结构、所述绝缘基底上的通孔L与所述推进剂存储腔的输出孔贯通且同轴排布；

所述栅极通过所述绝缘支撑结构安装于所述支撑连接结构上方，所述绝缘支撑结构的高度高于所述栅极和所述绝缘基底叠加后的高度之和，所述栅极和所述发射极间隔相对设置，所述发射极位于所述绝缘支撑结构、所述栅极以及所述绝缘基底之间形成的空间内；

所述环形磁铁套设于所述绝缘支撑结构上，所述环形磁铁的外径与所述支撑连接结构的外径相同，且所述环形磁铁与所述支撑连接结构同轴安装，所述环形磁铁在所述栅极与所述发射极间区域所形成的磁场沿所述电推进装置轴线方向向上，并与所述栅极与所述发射极之间所形成的电场方向一致。

2.根据权利要求1所述的磁聚焦场致发射微电推进装置，其特征在于，所述绝缘支撑结构包括支撑部和用于承载所述栅极的承载部，所述承载部与所述支撑部的内径相同且同轴心设置，所述承载部的外径大于所述支撑部的外径；

所述承载部、所述支撑部的外径壁、所述支撑连接结构之间形成环形空间，所述环形磁铁容置于所述环形空间内。

3.根据权利要求1所述的磁聚焦场致发射微电推进装置，其特征在于，所述环形磁铁远离所述栅极的一端搭载于所述支撑连接结构上。

4.根据权利要求1所述的磁聚焦场致发射微电推进装置，其特征在于，所述环形磁铁的内径与所述绝缘支撑结构的外径匹配，所述环形磁铁的内径壁与所述绝缘支撑结构的外径壁贴合安装。

5.根据权利要求1所述的磁聚焦场致发射微电推进装置，其特征在于，所述环形磁铁为永磁铁。

6.根据权利要求1所述的磁聚焦场致发射微电推进装置，其特征在于，所述环形磁铁为电磁线圈。

7.根据权利要求1所述的磁聚焦场致发射微电推进装置，其特征在于，所述环形磁铁采用铷铁硼磁铁材料制成。

8.根据权利要求1所述的磁聚焦场致发射微电推进装置，其特征在于，所述环形磁铁在栅极与发射极间区域形成的磁场的磁场强度为0～0.1T。