[发明专利]一种太赫兹阵列及天线前端在审

专利信息
申请号: 202110655214.2 申请日: 2021-06-11
公开(公告)号: CN113540809A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 李祥祥;朱学凯;陶静;李业强;朱元江;宋世千;陈玉山 申请(专利权)人: 中国船舶重工集团公司第七二三研究所
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00;H01Q3/36;H01Q17/00
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 岑丹
地址: 225001 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 赫兹 阵列 天线 前端
【权利要求书】:

1.一种太赫兹阵列,其特征在于,包括上层石英基板、下层石英基板,所述上层石英基板的下表面镀有反射式超表面移相器阵列;所述下层石英基板的上表面镀有一层金属接地层;所述上层石英基板、下层石英基板间填充有液晶,所述反射式超表面移相器阵列通过控制线加载电压。

2.根据权利要求1所述的太赫兹阵列,其特征在于,所述反射式超表面移相器阵列包括M×M个超表面单元,每个超表面单元引出一条控制线至阵面边缘与电压输入引脚连接。

3.根据权利要求1所述的太赫兹阵列,其特征在于,所述反射式超表面移相器阵列包括N×N个子阵,每个子阵包括2×2个超表面单元,每个子阵内的超表面单元通过一条控制线串联在一起,且每个子阵引出一条控制线至阵面边缘与电压输入引脚连接。

4.根据权利要求2或3所述的太赫兹阵列,其特征在于,所述反射式超表面移相器阵列分为5个区,分别为A、B、C、D和E区,A、B、C、D四个区为边缘区,E区为中心区,每个区域内的控制线分别独立布线,通过移相器之间的行或列通道引至阵面边缘,其中E区的偏压线分别通过位于A、B、C、D区的4个通道引至液晶阵面边缘。

5.根据权利要求2或3所述的太赫兹阵列,其特征在于,所述超表面单元为超表面双极子单元。

6.根据权利要求1所述的太赫兹阵列,其特征在于,控制线通过反射式超表面移相器阵列行与行之间的间隙引至阵面边缘。

7.根据权利要求2或3所述的太赫兹阵列,其特征在于,相邻控制线之间的最窄缝隙宽度大于控制线线宽。

8.根据权利要求2或3所述的太赫兹阵列,其特征在于,所述液晶采用向列型液晶。

9.一种基于权利要求1~8任一所述的太赫兹阵列的天线前端,其特征在于,包括:喇叭馈源、太赫兹阵列、阵面支撑结构件、电压转接板以及吸波材料,所述太赫兹阵列设置在阵面支撑结构件上,所述喇叭馈源设置在太赫兹阵列的俯仰面且相对于太赫兹阵列法线倾斜一定角度放置,所述吸波材料位于太赫兹阵列的上层边缘,所述的电压转接板位于太赫兹阵列的表面四周,采用PCB印制板形式,PCB板正面为电压控制线转接线,背面为接插件,太赫兹阵列的控制线通过压接接触与电压转接板上的电压控制转接线一一对应,电压控制转接线连接电压转接板背面的接插件。

10.根据权利要求9所述的天线前端,其特征在于,所述喇叭馈源为角锥喇叭。

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