[发明专利]一种用于双向电平转换芯片的最高电位选择电路

权利要求书

1.一种用于双向电平转换芯片的最高电位选择电路，其特征在于：

所述电路包括逻辑单元、选择单元和稳压单元；其中，

所述逻辑单元，与所述选择单元、所述稳压单元分别连接，用于基于最高电位电压Vmax对输入电压执行逻辑判断并生成输出电压Vout；

所述选择单元，用于基于所述逻辑单元的输出电压Vout和所述芯片电源电压Vcc之间的比较，选择生成最高电位电压Vmax；

所述稳压单元，用于对所述选择单元生成的最高电位电压Vmax执行延时稳压操作，从而向所述选择单元中反馈稳定后的最高电位电压Vmax。

2.根据权利要求1中所述的一种用于双向电平转换芯片的最高电位选择电路，其特征在于：

所述逻辑单元为所述双向电平转换芯片的一部分，包括第一缓存器、第二缓存器、第一开关管、第二开关管；其中，

所述第一缓存器、第二缓存器的输入端分别接收来自芯片的输入电压；

所述第一缓存器的器件电压端电压为最高电位电压Vmax，所述第二缓存器的器件电压端电压为芯片电源电压Vcc；

所述第一缓存器的输出端、第二缓存器的输出端分别与第一开关管、第二开关管的栅极连接，且第一开关管、第二开关管的源漏极串联接入至芯片电源电压与低电位之间；

所述第一开关管与第二开关管连接处为所述逻辑单元的输出端。

3.根据权利要求2中所述的一种用于双向电平转换芯片的最高电位选择电路，其特征在于：

所述第一缓存器和第二缓存器均为反相缓存器；

所述第一开关管为PMOS管、第二开关管为NMOS管，其中，第一开关管的源极与芯片电源电压连接，体端与最高电位电压Vmax连接，漏极与第二开关管的漏极连接作为所述逻辑单元的输出端，第二开关管的源极接地。

4.根据权利要求3中所述的一种用于双向电平转换芯片的最高电位选择电路，其特征在于：

所述选择单元包括第一选择二极管、第二选择二极管、选择电容Cap；其中，

所述第一选择二极管的正极与所述芯片电源电压Vcc连接，负极与第二选择二极管、选择电容的一端分别连接并作为所述选择单元的输出，用于生成最高电位电压Vmax；

所述第二选择二极管的正极与所述逻辑单元的输出电压Vout连接；

所述选择电容的另一端接地。

5.根据权利要求4中所述的一种用于双向电平转换芯片的最高电位选择电路，其特征在于：

当所述逻辑单元的输出电压Vout大于所述芯片电源电压Vcc时，所述选择单元选择输出电压Vout作为最高电位电压Vmax的参考电压，此时生成的所述最高电位电压Vmax＝Vout-Vdio；

当所述逻辑单元的输出电压Vout小于所述芯片电源电压Vcc时，所述选择单元选择输出电压Vcc作为最高电位电压Vmax的参考电压，此时生成的所述最高电位电压Vmax＝Vcc-Vdio；

其中，所述Vdio为所述第一选择二极管和所述第二选择二极管的导通电压。

6.根据权利要求5中所述的一种用于双向电平转换芯片的最高电位选择电路，其特征在于：

所述稳压单元用于对所述第一缓存器输出端的电压信号执行延时操作，并基于所述延时在所述输入电压进行电平切换时钳位所述最高电位电压Vmax。

7.根据权利要求6中所述的一种用于双向电平转换芯片的最高电位选择电路，其特征在于：

所述稳压单元包括第一反相器、第二反相器和稳压PMOS管；其中，

所述第一反相器和第二反相器级联，所述第一反相器的输入端与所述逻辑单元中的第一缓存器的输出端连接，所述第二反相器的输出端与所述稳压PMOS管的栅极连接；

所述第一反相器、第二反相器的器件电压端与所述最高电位电压Vmax连接；

所述稳压PMOS管的源极、体端分别与所述最高电位电压Vmax连接，漏极与所述芯片电源电压Vcc连接。