[发明专利]α粒子发射率测试方法在审

专利信息
申请号: 202110654904.6 申请日: 2021-06-11
公开(公告)号: CN113568031A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 张战刚;陈资文;雷志锋;黄云;罗俊洋;彭超;何玉娟;肖庆中;李键坷;路国光 申请(专利权)人: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
主分类号: G01T1/36 分类号: G01T1/36
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 郭凤杰
地址: 511300 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 粒子 发射 测试 方法
【说明书】:

发明涉及电子器件可靠性技术领域,公开了一种α粒子发射率测试方法,包括获取测试样品;对测试设备的背底噪声进行调试,使得测试设备的α粒子发射率小于设定值;利用完成调试的测试设备对测试样品进行α粒子发射率测试,并对测试到的α粒子进行计数;当α粒子的计数达到目标计数时结束测试,并获取测试数据;对测试数据进行分析和处理。通过在对测试过程前通过背底噪声调试来降低环境噪声和设备自身发射α粒子本底对测试结果的影响,在测试完成后通过数据分析来进一步确定超低本底电子材料的测试样品的实际α粒子发射率。利用上述α粒子发射率测试方法可以实现对超低本底电子材料的测试样品α粒子发射率、能谱的准确测量,提高试验准确度。

技术领域

本发明涉及电子器件可靠性技术领域,特别是涉及一种α粒子发射率测试方法。

背景技术

α粒子辐射存在于所有的半导体器件中,由α粒子辐射导致的软错误将导致电子设备出现数据丢失、功能异常等问题。在目前的技术手段中即使花费巨大代价对所用材料进行放射性杂质提纯,仍然无法避免α粒子引起的软错误。随着半导体器件的发展,其特征尺寸越来越小,集成度越来越高,将导致半导体器件抗α粒子辐射能力迅速下降,急需建立起半导体器件α粒子软错误率试验的评价方法和行业指导规范。

对于超低本底电子材料,其α粒子发射率测试存在易受环境噪声和设备自身发射α粒子本底影响、测量时间长、易被沾污等难点,目前行业缺乏针对超低本底电子材料的α粒子发射率测试技术,导致使用该材料的IC软错误率评价准确性低,影响高可靠性IC的软错误率定量计算。

发明内容

基于此,有必要针对目前行业缺乏针对超低本底电子材料的α粒子发射率测试技术的问题,提供一种α粒子发射率测试方法。

一种α粒子发射率测试方法,包括获取测试样品;对测试设备的背底噪声进行调试,使得所述测试设备的α粒子发射率小于设定值;利用完成调试的所述测试设备对所述测试样品进行α粒子发射率测试,并对测试到的α粒子进行计数;当所述α粒子的计数达到目标计数时结束测试,并获取测试数据;对所述测试数据进行分析和处理。

上述α粒子发射率测试方法,在对测试过程前通过背底噪声诊断与调试来降低环境噪声和设备自身发射α粒子本底对测试结果的影响,在测试完成后通过数据分析来进一步确定超低本底电子材料的测试样品的实际α粒子发射率。利用本发明提供的α粒子发射率测试方法可以实现对超低本底电子材料的测试样品α粒子发射率、能谱的准确测量,减少环境噪声对测试结果的影响,提高试验准确度。

在其中一个实施例中,所述测试设备包括样品托盘,所述对测试设备的背底噪声进行调试,使得所述测试设备的α粒子发射率小于设定值包括对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试,获取所述样品托盘的α粒子发射率;将所述样品托盘的α粒子发射率与所述设定值进行比较;若所述样品托盘的α粒子发射率小于所述设定值,则结束对测试设备的背底噪声的调试操作;若所述样品托盘的α粒子发射率大于等于所述设定值,则对所述样品托盘进行降噪处理,直至所述样品托盘的α粒子发射率小于所述设定值。

在其中一个实施例中,所述对所述测试设备的样品托盘进行α粒子发射率背底测试,获取所述样品托盘的α粒子发射率包括获取对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间,并获取所述样品托盘的表面积;根据所述样品托盘的表面积、对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间,获取所述样品托盘的α粒子发射率。

在其中一个实施例中,所述根据所述样品托盘的表面积、对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间,获取所述样品托盘的α粒子发射率包括根据表达式计算所述样品托盘的α粒子发射率;

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