[发明专利]一种太赫兹传感器

权利要求书

1.一种太赫兹传感器，其特征在于，所述传感器包括盖层和衬底；

所述盖层与所述衬底相对设置；所述盖层上与所述衬底相对的一面设置有金属微结构阵列；所述衬底上与所述盖层相对的一面设置有金属反射镜面；所述金属微结构阵列与所述金属反射镜面之间存在空隙；

所述盖层与所述金属反射镜面之间的空隙形成微流通道，所述金属微结构阵列位于所述微流通道内；所述微流通道用于容纳待检测液体样品；所述微流通道的高度为微米级；所述微流通道的高度为4-6μm，宽度为1000-5000μm；

所述金属微结构阵列包括多个在二维空间内按照行列方式均匀排布的谐振单元；相邻两个所述谐振单元的间距为120-125μm；所述谐振单元包括圆形金属环和十字形金属；所述十字形金属的各个端部均垂直设置有条状金属，任意两个所述条状金属之间有空隙；所述十字形金属和所述条状金属均位于所述圆形金属环内；所述条状金属为曲线状；

所述盖层的厚度为40-100μm；所述衬底的厚度为10-500μm；所述金属微结构阵列的厚度为120-200nm；所述金属反射镜面的厚度为120-200nm，大于太赫兹波在金属中的趋肤深度。

2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述谐振单元为轴对称结构。

3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述盖层的材料为硅、石英、聚酰亚胺、含氟聚酰亚胺、聚乙烯或聚四氟乙烯。

4.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述衬底的材料为硅、石英或半导体材料。

5.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述金属微结构阵列的材料为Al、Au、Ag、Cu或Ti/Pt/Au。

6.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述金属反射镜面的材料为Al、Au、Ag、Cu或Ti/Pt/Au。

7.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述金属微结构阵列和所述金属反射镜面的厚度和材料相同。