[发明专利]一种氟化锑烯被动调Q激光器

说明书

本发明提出了一种氟化锑烯被动调Q激光器，属于激光技术领域。解决了现有被动调Q激光器成本高、制备工艺复杂和易损坏的问题。它包括泵浦光源和沿光路依次置的泵浦光耦合系统及谐振腔，所述谐振腔包括沿光路依次置的平凹镜、透射式氟化锑烯可饱和吸收体和平面输出镜，所述平凹镜和透射式氟化锑烯可饱和吸收体之间设置有增益介质。它主要用于输出高重频和高稳定性的被动调Q脉冲激光。

技术领域

本发明属于激光技术领域，特别是涉及一种氟化锑烯被动调Q激光器。

背景技术

全固态被动调Q激光器具有结构紧凑和易维护的优势，在生物医学、科学研究和工业加工等领域有着广泛的应用。目前通常采用的可饱和吸收体如半导体可饱和吸收镜(SESAM)存在着成本高、制备工艺复杂和易损坏的问题。

氟化锑烯自2018年被首次制备出来之后，经研究发现，具有独特的电子结构和优良的可饱和吸收特性，相对于石墨烯而言，氟化锑烯对入射光具有更强的单层吸收,通过化学修饰和原子加成过程，氟化锑烯的电子特性和光学特性可以得到显著调节。此外，氟化锑烯的制备过程简单，造价低廉，有望成为新一代可饱和吸收体。

发明内容

本发明为了解决现有技术中的问题，提出一种氟化锑烯被动调Q激光器。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：一种氟化锑烯被动调Q激光器，它包括泵浦光源和沿光路依次置的泵浦光耦合系统及谐振腔，所述谐振腔包括沿光路依次置的平凹镜、透射式氟化锑烯可饱和吸收体和平面输出镜，所述平凹镜和透射式氟化锑烯可饱和吸收体之间设置有增益介质。

更进一步的，所述泵浦光源为光纤耦合半导体激光器。

更进一步的，所述光纤耦合半导体激光器输出的泵浦光中心波长为808nm。

更进一步的，所述泵浦光耦合系统包括依次设置的第一平凸透镜和第二平凸透镜，所述第一平凸透镜和第二平凸透镜焦距相等。

更进一步的，所述增益介质为Nd:LuAG晶体。

更进一步的，所述增益介质中的光腰位置与泵浦光入射面之间的距离为2mm。

更进一步的，所述谐振腔在透射式氟化锑烯可饱和吸收体的表面模式半径范围为60～100μm。

更进一步的，所述透射式氟化锑烯可饱和吸收体对1064nm光的调制深度为0.2456，饱和光强为0.11MW/cm²。

更进一步的，述平凹镜的曲率半径为50mm，所述平凹镜为808nm光高透、1064nm光高反的平凹镜。

更进一步的，所述平面输出镜对1064nm光的透过率为1.4％。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明解决了现有被动调Q激光器成本高、制备工艺复杂和易损坏的问题。本发明具有结构紧凑，全固化易维护的优点，可输出高重频和高稳定性的被动调Q脉冲激光。

附图说明

图1为本发明所述的一种氟化锑烯被动调Q激光器结构示意图。

1-泵浦光源，2-第一平凸透镜，3-第二平凸透镜，4-平凹镜，5-增益介质，6-透射式氟化锑烯可饱和吸收体，7-平面输出镜。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地阐述。