[发明专利]一种毫米波基片集成波导天线

权利要求书

1.一种毫米波基片集成波导天线，其特征在于：

包括底层基片(100)、中间基片(200)和顶层基片(300)；其中，

所述底层基片(100)设置有基片集成波导；所述基片集成波导包括基片集成波导平面魔T结构(101)和两个第一功分器(102)，两个所述第一功分器(102)关于所述基片集成波导平面魔T结构(101)对称设置，所述基片集成波导平面魔T结构(101)和两个所述第一功分器(102)构成单脉冲馈电网络；所述基片集成波导平面魔T结构(101)具有第一输入馈电结构(101a)和第二输入馈电结构(101b)，所述第一输入馈电结构(101a)和所述第二输入馈电结构(101b)分别用于通过所述单脉冲馈电网络产生和信号的波束与差信号的波束；所述第一功分器(102)内朝向所述中间基片(200)的一侧设置有第一层间耦合缝隙(103)；其中，第一功分器(102)和第二功分器(201)均为一分二功分器，两个第一功分器(102)和两个第二功分器(201)通过第一层间耦合缝隙(103)和第二层间耦合缝隙(202)电性耦合而构成一个一分四功分器；

所述中间基片(200)设置有两个第二功分器(201)，所述第二功分器(201)内设置有第二层间耦合缝隙(202)；两个所述第一功分器(102)和两个所述第二功分器(201)一一正对设置，两个所述第一功分器(102)和两个所述第二功分器(201)通过所述第一层间耦合缝隙(103)和第二层间耦合缝隙(202)电性耦合；所述第二功分器(201)内朝向所述顶层基片(300)的一侧设置有第一馈电耦合缝隙(203)；

所述顶层基片朝向所述中间基片(200)的一侧设置有第二馈电耦合缝隙(301)，所述顶层基片背离所述中间基片(200)的一侧设置有天线辐射阵列(302)；所述第一馈电耦合缝隙(203)和第二馈电耦合缝隙(301)电性耦合，所述第二馈电耦合缝隙(301)用于将电磁波馈至所述天线辐射阵列(302)以辐射出所述毫米波基片集成波导天线，其中，第一馈电耦合缝隙（203）和第二馈电耦合缝隙（301）形状相同，均呈工字型。

2.如权利要求1所述的毫米波基片集成波导天线，其特征在于：

所述基片集成波导包括两排金属化通孔，分别为内排金属化通孔(101c)和外排金属化通孔(101d)，所述内排金属化通孔(101c)和所述外排金属化通孔(101d)间隔设置；所述内排金属化通孔(101c)包括依次间隔排列的多个金属化通孔，所述外排金属化通孔(101d)包括依次间隔排列的多个金属化通孔；

所述基片集成波导设置为能够允许通过调整所述内排金属化通孔(101c)与所述外排金属化通孔(101d)的间隔距离和/或所述金属化通孔的孔径以调节电磁波信号的截止频率。

3.如权利要求2所述的毫米波基片集成波导天线，其特征在于：

所述天线辐射阵列(302)包括多个天线单元，多个所述天线单元按照设定阵列排布构成所述天线辐射阵列(302)，每个所述天线单元均呈工字型；所述第二馈电耦合缝隙(301)包括多个单缝隙，多个所述单缝隙按照所述设定阵列排布构成所述第二馈电耦合缝隙(301)，每个所述单缝隙均呈工字型；

所述天线辐射阵列(302)的中心和所述第二馈电耦合缝隙(301)的中心重合，且所述天线单元和所述单缝隙两者相互正交。

4.如权利要求3所述的毫米波基片集成波导天线，其特征在于：

所述设定阵列为N排M列，其中，N大于M；且，

所述N排的单排排布方向为所述顶层基片(300)的宽度方向；

所述M列的单列排布方向为所述顶层基片(300)的长度方向。

5.如权利要求3或4所述的毫米波基片集成波导天线，其特征在于：

每个所述天线单元均为双元贴片天线单元。