[发明专利]一种含三嗪和吡啶类结构的化合物及其应用

说明书

本发明涉及一种由吡啶基修饰的三嗪化合物及包含其的有机电致发光器件，属于半导体技术领域，本发明提供化合物的结构如通式(1)所示：本发明化合物应用于OLED器件的发光层或电子传输层后，可有效降低器件的电压，提升器件的电流效率及使用寿命。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种含三嗪和吡啶类结构的化合物及其应用。

背景技术

有机电致发光器件的阳极和发光层之间可以存在空穴传输区域，并且在发光层和阴极之间可以存在电子传输区域。来自阳极的空穴可以通过空穴传输区域向发光层迁移，来自阴极的电子可以通过电子传输区域向发光层迁移，空穴和电子在发光层中复合并产生激子。根据重金属原子的自旋耦合效应，有机金属化合物材料可以直接从三线态发射能量跃迁到基态，理论上可以实现100％的内量子产率。

尽管如此，对于三线态发光的磷光OLED，在器件电压、电流效率以及寿命方面仍然有改进的需求。发光层中主体材料的性能通常会较大程度地影响有机电致发光器件的上述关键性能。根据现有技术，被用作主体材料的化合物通常包含三嗪基团。而现有的三嗪类衍生物作为主体材料使用时，在器件电压、电流效率，尤其是在启亮电压和器件寿命上均有改善的需求。本发明提供具有低电压、高效率，长寿命，尤其是低启亮电压及长高温寿命的主体替代材料。

对于磷光OLED，发光层通常存在空穴和电子不平衡，高电流密度下器件效率滚降严重的问题。本发明还提供两种主体材料的组合，可有效解决上述不足。

发明内容

针对现有技术存在的上述问题，提供了一种含三嗪和吡啶类结构的化合物及其应用。本发明提供具有低电压及低启亮电压、高效率，尤其是更长寿命及更长高温寿命的主体替代材料。

本发明的技术方案为：

一种含三嗪和吡啶类结构的化合物，所述化合物结构如通式(1)所示：

通式(1)中，Ar₁，Ar₂分别独立地表示为苯基、咔唑基或二苯并呋喃基；

L表示为吡啶基或1至3个苯环取代的吡啶基；

R₁表示为通式(2)所示结构；n表示1，2或3；当n＝2时，至少有一个R₁为咔唑基。

通式(2)中X₁-X₈分别独立地表示C-R₂；

R₂每次出现分别独立地表示为氢，氘原子，氰基，苯基，或者C₁-C₁₀的烷烃基。

优选方案，当Ar₁和Ar₂为苯基时，所述化合物结构通过通式(3-1)至(3-6)中任一种表示：

优选方案，当Ar₁为二苯并呋喃基，Ar₂为苯基时，，所述化合物结构通过通式(4-1)至(4-6)中任一种表示：

优选方案，当Ar₁为苯基，Ar₂为咔唑基时，所述化合物结构通过通式(5-1)至(5-6)中任一种表示：

优选方案，当Ar₁为二苯并呋喃基，Ar₂为咔唑基时，所述化合物结构通过通式(6-1)至(6-6)中任一种表示：