[发明专利]氧化铝原位复合氧化锆陶瓷粉体、陶瓷制备方法及应用有效
| 申请号： | 202110606271.1 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113277846B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 周涛;雒文博;温兵;赵立宏 | 申请（专利权）人： | 深圳市精而美精密陶瓷科技有限公司;周涛 |
| 主分类号： | C04B35/48 | 分类号： | C04B35/48;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/63 |
| 代理公司： | 重庆千石专利代理事务所(普通合伙) 50259 | 代理人： | 黄莉 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区松*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化铝 原位 复合 氧化锆 陶瓷 制备 方法 应用 | ||
1.氧化铝原位复合氧化锆陶瓷粉体，其特征在于：陶瓷原料粉体包括氧化锆和铝硅合金组合物，其中氧化锆的质量百分比为79%氧化锆100%，铝硅合金组合物的质量百分比为0%铝硅合金组合物21%。
2.根据权利要求1所述的氧化铝原位复合氧化锆陶瓷粉体，其特征在于：氧化锆的质量百分比为92%氧化锆98%，铝硅合金组合物的质量百分比为2%铝硅合金组合物8%。
3.根据权利要求2所述的氧化铝原位复合氧化锆陶瓷粉体，其特征在于：铝硅合金组合物的金属硅质量百分比为10%~13%。
4.根据权利要求3所述的氧化铝原位复合氧化锆陶瓷粉体，其特征在于：氧化锆为部分稳定氧化锆。
5.根据权利要求4所述的氧化铝原位复合氧化锆陶瓷粉体，其特征在于：氧化锆的D50为0.1μm~1.0μm，铝硅合金组合物的D50为0.5μm~5μm。
6.氧化铝原位复合氧化锆陶瓷，其特征在于：使用权利要求1~5所述的任一权利要求的氧化铝原位复合氧化锆陶瓷粉体制备得到。
7.氧化铝原位复合氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a）将质量百分比为79%氧化锆100%的氧化锆粉体和质量百分比为0%铝硅合金组合物21%的铝硅合金组合物粉体均匀混合；
b）将步骤a）混合粉体成型得到毛坯；
c）将步骤b）得到的毛坯在含氧气氛下烧结。
8.根据权利要求7所述的氧化铝原位复合氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤c）中含氧气氛为富氧空气气氛，烧结温度为1220℃~1380℃，保温时间1h~4h。
9.根据权利要求8所述的氧化铝原位复合氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于：铝硅合金组合物金属硅质量百分比为10%~13%，氧化锆为部分稳定氧化锆。
10.氧化锆陶瓷外观结构件，其特征在于：使用权利要求1~5所述的任一权利要求的氧化铝原位复合氧化锆陶瓷粉体制备得到。
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