[发明专利]一种CHO细胞培养方法有效

专利信息
申请号: 202110589738.6 申请日: 2021-05-28
公开(公告)号: CN115404222B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 朱亚楠;姜晓玲;陈俊;丁亮亮 申请(专利权)人: 盛禾(中国)生物制药有限公司
主分类号: C12N5/10 分类号: C12N5/10;C12P21/08;C07K16/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 cho 细胞培养 方法
【权利要求书】:

1.一种CHO细胞培养方法,其特征在于,所述方法包括:

(a)将CHO细胞在基础培养基中放大培养;

(b)进行高密度培养,从细胞处于对数生长期时开始每天流加补料培养基,所述补料培养基的流加量为初始培养物体积的1~3%。

2.根据权利要求1所述的CHO细胞培养方法,其特征在于,所述补料培养基流加量为初始培养物体积的2%。

3.根据权利要求1或2所述的CHO细胞培养方法,其特征在于,所述基础培养基选自CHO细胞无血清培养基。

4.根据权利要求1或2所述的CHO细胞培养方法,其特征在于,所述对数生长期是指细胞密度达到0.8~1×106cells/mL时即为对数生长期。

5.根据权利要求1或2所述的CHO细胞培养方法,其特征在于,所述流加补料培养过程中,温度为32~37℃,搅拌转速为120~220rpm,溶氧含量为40~60%。

6.根据权利要求5所述的CHO细胞培养方法,其特征在于,所述流加补料培养过程中,温度为37℃,搅拌转速为150rpm,溶氧含量为50%。

7.根据权利要求1或2所述的CHO细胞培养方法,其特征在于,所述流加补料培养过程中,当细胞密度达到6~8×106cells/mL时,调整培养温度为34±2℃,pH为6.90±0.2。

8.根据权利要求7所述的CHO细胞培养方法,其特征在于,所述流加补料培养过程中,当细胞密度达到6~8×106cells/mL时,调整培养温度为34±1℃,pH为6.90±0.05。

9.根据权利要求1-8任一项权利要求所述的CHO细胞培养方法,其特征在于,该方法用于生产单克隆抗体。

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