[发明专利]监测磁性传感器的方法

权利要求书

1.一种监测位于外部磁场附近的第一磁性传感器的方法，该第一磁性传感器具有在第一磁场强度和第二磁场强度之间的操作窗口，其中，该方法包括：

测量位于所述外部磁场附近的另一个磁性传感器的信号；

基于测量的信号确定所述外部磁场的磁场强度；和

确定所述外部磁场的磁场强度是否在所述第一磁性传感器的操作窗口内。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一磁性传感器是磁性多匝传感器，并且所述另一个磁性传感器是磁性单匝传感器。

3.根据权利要求2所述的方法，其中从所述磁性单匝传感器的信号确定磁场强度包括测量由所述磁性单匝传感器输出的电压。

4.根据权利要求3所述的方法，其中低于预定值的电压输出指示低于所述操作窗口的第一磁场强度的磁场强度。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述电压输出包括正弦分量和余弦分量，并且其中确定磁场强度包括计算所述正弦分量和所述余弦分量的半径。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述磁性单匝传感器是基于各向异性磁阻(AMR)的单匝传感器。

7.一种用于监测位于外部磁场附近的第一磁性传感器的装置，该第一磁性传感器具有在第一磁场强度和第二磁场强度之间的操作窗口，其中所述装置被配置为：

接收位于所述外部磁场附近的另一个磁性传感器的信号；

从接收的信号确定所述外部磁场的磁场强度；和

确定所述外部磁场的磁场强度是否在磁性多匝传感器的操作窗口内。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述装置被配置为：如果所述外部磁场的磁场强度不在所述操作范围之内，则检测所述磁性传感器中的故障。

9.根据权利要求7所述的装置，其中所述装置包括与所述磁性传感器通信并被配置为接收和处理所述另一磁性传感器的信号的处理电路。

10.根据权利要求7所述的装置，其中所述第一磁性传感器是磁性多匝传感器，并且所述另一个磁性传感器是磁性单匝传感器。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述装置被配置为基于所述磁性单匝传感器的电压输出确定所述磁场强度。

12.根据权利要求11所述的装置，其中低于预定值的电压输出指示低于所述操作窗口的第一磁场强度的磁场强度。

13.磁性传感器系统，包括：

位于外部磁场附近的第一磁性传感器，该第一磁性传感器具有在第一磁场强度和第二磁场强度之间的操作窗口；和

装置，被配置为：

接收位于所述外部磁场附近的另一个磁性传感器的信号；

从接收的信号确定所述外部磁场的磁场强度；和

确定所述外部磁场的磁场强度是否在所述第一磁性传感器的操作窗口内。

14.根据权利要求13所述的系统，其中位于所述外部磁场附近的另一个磁性传感器是磁性单匝传感器。

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述系统还包括所述磁性单匝传感器。

16.根据权利要求14所述的系统，其中所述装置被配置为基于所述磁性单匝传感器的电压输出确定所述磁场强度。

17.根据权利要求16所述的系统，其中低于预定值的电压输出指示低于所述操作窗口的第一磁场强度的磁场强度。