[发明专利]单晶体声波谐振器、滤波器及电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极；

顶电极；和

单晶压电层，设置在底电极与顶电极之间，

其中：

压电层的下表面与基底的上表面之间设置有支撑结构，压电层与基底大体平行布置；

顶电极和底电极的非电极连接端均具有锐角结构，所述锐角结构包括与压电层的对应表面平行的平行面、以及从所述平行面远离压电层倾斜延伸且与所述平行面成锐角的斜面。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

底电极的非电极连接端埋设在支撑层中，埋设在支撑层中的底电极在平行于谐振器的厚度方向的上下方向上分别与压电层与支撑层面接触。

3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

底电极的非电极连接端在水平方向上与所述支撑层间隔开。

4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述锐角小于85度。

5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

所述锐角小于30度。

6.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

顶电极和底电极的非电极连接端均具有锐角结构的锐角的角度相同。

7.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述压电层的材料为单晶氮化铝、单晶氮化镓、单晶铌酸锂、单晶铌酸钾、单晶石英薄膜、或者单晶钽酸锂；和/或

所述支撑结构的材料选自氮化铝、氮化硅、碳化硅、多晶硅、单晶硅、二氧化硅、无定形硅、掺杂二氧化硅中的一种，或者所述支撑结构的材料的导热系数不小于0.2W/cm·K。

8.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

顶电极和/或底电极为平直电极；或

顶电极和底电极中的一个为平直电极，顶电极和底电极中的另一个的非电极连接端设置有桥结构，所述桥结构的外侧部分设置有所述锐角结构，或者顶电极和底电极中的另一个的电极连接端设置有桥结构；

顶电极和底电极中的一个为平直电极，顶电极和底电极中的另一个的非电极连接端设置有悬翼结构，所述悬翼结构的外侧部分设置有所述锐角结构；

顶电极和底电极的非电极连接端设置有桥结构，所述桥结构的外侧部分设置有所述锐角结构；或

顶电极和底电极的非电极连接端设置有悬翼结构，所述悬翼结构的外侧部分设置有所述锐角结构；或

顶电极和底电极中的一个的非电极连接端设置有悬翼结构，所述悬翼结构的外侧部分设置有所述锐角结构，且顶电极和底电极中的另一个的非电极连接端设置有桥结构，所述桥结构的外侧部分设置有所述锐角结构；或

顶电极和/或底电极的非电极连接端设置有凸起和/或凹陷结构，所述凸起和/或凹陷结构的外侧部分设置有所述锐角结构。

9.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述声学镜为声学镜空腔。

10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：

所述声学镜空腔为凹入到支撑层内的形状，且声学镜空腔的下边界由所述支撑层限定；或者

所述声学镜空腔的下边界由所述基底限定。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的谐振器，其中：

所述顶电极和底电极的非电极连接端的沿周向方向的至少一部分关于垂直于压电层的厚度方向的压电层的水平中分面上下对称布置。

12.根据权利要求1-10中任一项所述的谐振器，其中：

所述顶电极和底电极的非电极连接端的沿周向方向的至少一部分关于谐振器的有效区域的中心中心对称。

13.根据权利要求12所述的谐振器，其中：

所述顶电极和底电极的电极连接端关于谐振器的有效区域的中心中心对称。