[发明专利]垂直腔面发射激光器

说明书

本发明公开了一种垂直腔面发射激光器，包括：衬底、外延层、第一电极和焊盘；所述外延层设置有发光区和非发光区，所述第一电极包括同层设置的环形部和连接部，所述环形部设置于邻近所述发光区的非发光区且与所述外延层接触，所述环形部沿所述焊盘方向的所述非发光区延伸形成所述连接部；所述非发光区的外延层设置有沟槽，所述沟槽半环绕所述发光区，且所述沟槽在所述衬底上的正投影，与所述连接部在所述衬底上的正投影不交叠；所述焊盘位于所述非发光区，所述焊盘设置于所述外延层远离所述衬底的一侧并与所述连接部搭接。本发明实施例能够降低垂直腔面发射激光器的寄生电容。

技术领域

本发明实施例涉及激光器技术领域，尤其涉及一种垂直腔面发射激光器。

背景技术

随着现代电子技术，尤其是通讯技术的迅猛发展，对可以作为通讯光源的垂直腔面发射激光器（VCSEL）的需求极大增长。

然而，随着对通讯要求的增高，例如对通讯传输速率的要求越来越高，必须采用具有极小寄生电容的垂直腔面发射激光器，现有的垂直腔面发射激光器寄生电容较大，难以满足现代通讯的要求。

发明内容

本发明提供一种垂直腔面发射激光器，以降低垂直腔面发射激光器的寄生电容。

本发明实施例提供了一种垂直腔面发射激光器，包括：衬底、外延层、第一电极和焊盘；所述外延层设置有发光区和非发光区，所述第一电极包括同层设置的环形部和连接部，所述环形部设置于邻近所述发光区的非发光区且与所述外延层接触，所述环形部沿所述焊盘方向的所述非发光区延伸形成所述连接部；所述非发光区的外延层设置有沟槽，所述沟槽半环绕所述发光区，且所述沟槽在所述衬底上的正投影，与所述连接部在所述衬底上的正投影不交叠；所述焊盘位于所述非发光区，所述焊盘设置于所述外延层远离所述衬底的一侧并与所述连接部搭接。

可选地，所述焊盘包括焊接区和搭接区，所述焊盘位于所述焊接区的部分与所述外延层之间设置有绝缘层与介电层，所述焊盘位于所述搭接区的部分与所述连接部搭接。

可选地，所述绝缘层包括：苯并环丁烯、聚苯撑苯并噁唑或者聚酰亚胺。

可选地，还包括离子注入结构，所述连接部在所述衬底上的正投影及所述焊盘在所述衬底上的正投影，均位于所述离子注入结构在所述衬底上的正投影内。

可选地，所述沟槽内填充有导热金属，所述导热金属与所述环形部不存在电性连接。

可选地，所述导热金属与所述焊盘材料相同。

可选地，所述沟槽的内壁设置有至少一层介电层。

可选地，所述发光区内的外延层包括与所述环形部接触设置的P型掺杂层，所述P型掺杂层靠近所述环形部的表面设置有凹槽，且所述环形部在所述衬底上的正投影环绕所述凹槽在所述衬底上的正投影。

可选地，所述凹槽的深度为m*（1/4）λ，其中，m为奇数，λ为所述垂直腔面发射激光器发射光的波长。

可选地，所述凹槽的底壁设置有光栅结构。

本发明实施例的技术方案，采用的垂直腔面发射激光器包括衬底、外延层、第一电极和焊盘；外延层上设置有发光区和非发光区，第一电极包括同层设置的环形部和连接部，环形部设置于邻近发光区的非发光区且与外延层接触，环形部沿焊盘方向的非发光区延伸形成连接部；非发光区的外延层设置有沟槽，沟槽半环绕发光区，且沟槽在衬底上的正投影，与连接部在衬底上的正投影不交叠；焊盘位于非发光区，焊盘设置于外延层远离衬底的一侧并与连接部搭接。通过将环形部延伸到非发光区形成连接部，在连接部上搭接焊盘，不必在环形部上搭接焊盘，从而减小环形部的尺寸，进而可减小平台（由沟槽环绕的部分形成的平台）的尺寸，使得垂直腔面发射激光器的寄生电容减小；同时还能够降低所需的制程精度、提高垂直腔面发射激光器工作的稳定性，以及更容易控制垂直腔面发射激光器的发光极化方向。

附图说明