[发明专利]一种氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物及有机电致发光器件

说明书

本发明涉及一种氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物及有机电致发光器件，属于半导体技术领域，本发明提供化合物的结构如通式(I)所示：本发明提供的化合物应用于有机电致发光器件，能够显著降低器件的启亮电压和驱动电压，且可显著降低器件的效率滚降。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物及包含其的有机电致发光器件。

背景技术

有机电致发光器件的阳极和发光层之间可以存在空穴传输区域，并且在发光层和阴极之间可以存在电子传输区域。来自阳极的空穴可以通过空穴传输区域向发光层迁移，来自阴极的电子可以通过电子传输区域向发光层迁移，空穴和电子在发光层中复合并产生激子。根据量子力学原理，有机金属化合物材料作为掺杂材料可以实现100％的内量子产率。

尽管如此，对于三线态发光的磷光OLED，在器件电压、电流效率以及寿命方面仍然有改进的需求。发光层中主体材料的性能通常会较大程度地影响有机电致发光器件的上述关键性能。根据现有技术，被用作主体材料的化合物通常包含三嗪基团。而现有的三嗪类衍生物作为主体材料使用时，在器件电压、电流效率、器件寿命，尤其是在启亮电压和驱动电压上均有改善的需求。

对于磷光OLED，发光层通常存在空穴和电子不平衡，高电流密度下器件效率滚降严重的问题。本发明还提供两种主体材料的组合，可有效解决上述不足。

发明内容

针对现有技术存在的上述问题，本发明提供了一种氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物，通过苯基取代的亚苯基将氮杂二苯并呋喃和三嗪基团桥连，本发明提供的化合物应用于有机电致发光器件，能够显著降低器件的启亮电压和驱动电压，且可显著降低器件的效率滚降。

为了解决上述技术问题，本发明提出的技术方案是：一种氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物，所述化合物结构如通式(I)所示：

Z₁表示为C-R₁或氮原子，且至少有一个Z₁表示为氮原子；

R₁表示为氢、氘、苯基、氰基；

Ar₁表示为苯基或咔唑基或二苯并呋喃基。

本发明还提供一种有机电致发光器件，包含第一电极、第二电极和功能层，所述功能层位于第一电极和第二电极之间，所述有机电致发光器件中的至少一层功能层含有所述的氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物。

与现有技术相比，本发明有益的技术效果在于：

1)本发明提供的化合物是用氮杂二苯并呋喃对三嗪基团进行修饰所得，且通过苯基取代的亚苯基将氮杂二苯并呋喃和三嗪基团桥连，具有合适的HOMO和LUMO能级，能保证发光层中载流子的高效注入和复合，器件效率高。

2)本发明提供的化合物具有较高的T1能级，能保证主客体之间的能量传递效率。

3)本发明提供的化合物中差异化支链的引入增加了分子的不对称性，材料Tg高，分子的结晶性低，有助于提升器件的高温稳定性，避免化合物容易发生结晶化而堵塞用于蒸镀的坩埚口。

4)Cross-talk风险(由于蓝、绿光像素启亮电压比红光高，在点亮蓝、绿光像素的同时，会有点亮临近红光像素点的风险)一直困扰着OLED显示器生产商。本发明提供的化合物和对比化合物相比能显著降低器件启亮电压，可避免Cross-talk风险。

5)本发明提供的化合物和现有技术中化合物相比，高电流密度下的效率滚降程度低。

附图说明

图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图；